氮化镓半导体材料6篇(全文).docxVIP

氮化镓半导体材料6篇(全文)氮化镓半导体材料(精选6篇)

氮化镓半导体材料第1篇氮化镓半导体研究

一.物理背景

自20世纪60年代，发光二极管(LightEmittingDiode,LED)的发展非常迅速，它具有体积小、耐冲击、寿命长、可靠度高与低电压低电流操作等优良的特性，适用于在各种环境的使用，而且符合未来环保节能的社会发展趋势。初期的以砷化镓(GaAs)、铝铟磷镓(AIGalnP)材料为基础之发光二极管，实现了红光至黄绿光波段的电激发光。近年来，以氮化镓(GaN)为代表的新一代半导体材料技术上

氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等独特的特性，在光显示、光存储、光探测等光电子器件和高温、高频大功率电子等微电子器件领域有广阔的应用前景，其中最引人瞩目的是作为发光材料的应用，由于氮化镓能与氮化铟(INN)和氮化铝(AIN)形成三元或四元化合物，如此借着改变IlI族元素的比例，便能使发光波长涵盖红外光到紫外光的范围，另外将发蓝光的氮化镓基发光二极管配以可激发出黄绿光的荧光粉，从而混合发出白光，应用前景非常广泛，除了应用于指示灯、灯饰、手电筒等普通市场，氮化镓基发光二极管还应用于手机及手提电脑背光源、交通灯、户外全彩显示屏等

市场，但氮化镓基发光二极管最有前景的应用还是在普通照明市场。

二.GaN的应用

高效节能、长寿命的半导体照明产品正在引领照明业的绿色变革。随着第三代半导体材料氮化镓的突破和蓝、绿发光二极管的问世，世界各国纷纷投入巨资推出国家级半导体照明计划。

GaN属宽禁带半导体，直接带隙3.4eV,在长寿命、低能耗、短长半导体发光二极管(LED)、激光二极管(LD)、紫外探测器以及高温微电子器件等方面有广阔的应用前景，GaN器件的广泛应用将预示着光电信息乃至光子信息时代的来临，因此，以GaN为代表的第三代半导体材料被誉为信息产业新的发动机。GaN基半导体材料，包括GaN、A1N和InN,都是直隙半导体材料，因而有很高的量子效率。用GaN、A1N和InN这三种材料按不同组份生成的固溶体，其禁带宽度可在0.7eV到6.2eV之间变化。这样，用这些固溶体制造发光器件，是光电集成材料和器件发展的方向，其主要应用领域包括：

(1)当前在国内外非常受人瞩目的半导体照明是一种新型的高效、节能和环保光源，将取代目前使用的大部分传统光源，被称为21世纪照明光源的革命，而GaN基高效率、高亮度发光二极管(LED)的研制是实现半导体照明的核心技术和基础。以LED为代表的半导体光源，具有节能、长寿命、免维护、环保等优点，目前己被广泛的应用于大屏幕平板显示和交通信号灯

以及显示指示灯，并逐渐向通用照明领域发展，目前实验室水平的白光LED发光强度已经达到131lm/w。

(2)CD、DVD的光存储密度与作为读写器件的半导体激光器的波长的平方成反比，目前流行的CD、DVD的激光读写头分别采用波长为780nm、650nm的AIGaAs/AIGalnP材料，存储容量分别为700MB,4.7GB。若用波长为410rim的InGaN/GaN蓝光激光器代替，光盘的存储容量将高达27GB,将会成为光存储和处理的主流技术。

(3)适合制作紫外探测器件。当在强可见光和红外辐射背景中探测紫外信号时，要尽量避免或减少紫外信号以外的背景信号干扰。以GaN做成的紫外探测器，克服了Si探测器在紫外波段探测效率低、需要复杂的滤光系统等弱点。而氮化物特别是AIGaN,可以制成日光盲紫外探测器，其截止波长为200.356nm。在这个范围的探测器可以用于火焰探测、燃烧诊断、光谱学和紫外监视，AIGaN探测器还有重要的军事用途，可用于导弹制导和导弹预警防御系统。

(4)由于GaN基材料有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和速率高、热稳定性好、抗腐蚀性强等优点，被广泛用于制作高电子迁移率晶体管、双极晶体管、场效应晶体管等微电子器件，适合在高温、大功率及恶劣环境下工作…11。高温、高频、高功率微波器件是无线通信、国防等领域急需的电子器件，如果目前使用的微波功率管的输出功率密度提高一个数量级，微波器件的工作温度提高到300℃,将解决航天航空用电子装备和民用移动通信系统的一系列难题。

三.GaN的制备方法3.1

由于GaN体单晶非常难以获得，即便是已有一些研究报道对GaN体单晶生长取得了一定进展，但它们的质量还无法达到作衬底的要求。因此现今对GaN的研究都集中在以异质材料(如A1