硅单晶及硅片单位产品能源消耗限额（征求意见稿）.docx

ICS27.010F10

DB31

上海市地方标准

DB31/792—XXXX代替DB31/792—2020

硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额

Thenormofenergyconsumptionperunitproductsformonocrystallinesiliconandsiliconwafer

(征求意见稿)

202X-XX-XX发布202X-XX-XX实施

上海市市场监督管理局发布

DB31/792—XXXX

前言

本文件的全部技术内容为强制性。

本文件按照GB/T1.1—2020给出的规则起草。

本文件代替DB31/792—2020《硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额》，与DB31/792—2020相比，主要变化如下：

——取消了硅单晶研磨片的要求，修改了适用范围；

——调整了规范性引用文件，删除了GB/T12965，增加了GB/T12723；

——修改了第3章术语和定义的陈述；

——增加第4章“产品分类”；

——修改了原第4章，删除了硅单晶研磨片产品的能耗要求，重新划分了产品类别；增加了8英寸、12英寸产品；重新规定了硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额的限定值、准入值、先进值；

——修改了附录A，增加了常用能源品种。

本文件由上海市经济和信息化委员会、上海市发展和改革委员会提出；由上海市经济和信息化委员会组织实施。

本文件由上海市能源标准化技术委员会归口。

本文件起草单位：上海有色金属行业协会、上海市有色金属标准化技术委员会、上海合晶硅材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、上海新傲科技股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司、上海超硅半导体股份有限公司。

本文件主要起草人：

本文件所代替标准的历次版本发布情况为：——DB31/792—2014，DB31/792—2020。本次为第二次修订。

I

DB31/792—XXXX

硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额

1范围

本文件规定了硅单晶及硅单晶片单位产品能源消耗限额的适用范围、能耗要求、统计范围、计算方法及节能降耗导向。

本文件适用于半导体级硅单晶和硅单晶片（包括抛光片、外延片，以下统称“硅片”）生产企业单位产品能源消耗的计算、考核以及对新建项目能源单耗的控制。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。

GB/T2589综合能耗计算通则

GB/T12723GB/T12962GB/T12964GB/T14139

单位产品能源消耗限额编制通则硅单晶

硅单晶抛光片硅外延片

GB17167用能单位能源计量器具配备和管理通则

3术语和定义

GB/T2589、GB/T12723界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1

硅单晶monocrystallinesilicon

高纯度的多晶硅在单晶炉内用直拉法拉制的圆柱形硅单晶棒材，是制造硅器件的原料。3.2

硅单晶抛光片monocrystallinesiliconpolishedwafer

硅单晶经切磨及抛光加工成的表面高平坦度的硅片，作为硅单晶外延片的衬底，也用于制作集成电路、分立器件、功率器件等。

3.3

硅单晶外延片monocrystallinesiliconepitaxialwafer

在硅单晶抛光片上生长一层或多层硅单晶薄膜（外延层）后制成硅片，是制作半导体器件和集成电路的重要基础材料。

1

DB31/792—XXXX

4产品分类

4.1总则

本文件所述的硅单晶、硅单晶抛光片、硅单晶外延片的生产工序流程分别如下：

——硅单晶生产工序：从原料（多晶硅）放入石英坩埚内熔化开始到产出合格硅单晶（晶棒）止的生产过程，包括配料（含辅料）、拉晶、整形（切断、开方、滚磨、参考面加工）等；

——硅单晶抛光片生产工序：从硅单晶棒切割开始到产出合格抛光片并进入成品库为止的生产过程，包括单晶棒切片、研磨、腐蚀、抛光、包装等；

——硅单晶外延片生产工序：从硅单晶片放入外延炉长晶开始到产出合格外延片并进入成品库为止的生产过程，包括外延生长、清洗、包装等。

4.2产品分类

硅单晶及其硅片产品按生产能耗的差异进行分类，见表1。

表1硅单晶及其硅片产品分类

种类

产品尺寸

备注

直径

外延层厚度

硅单晶

6英寸及以下，8英寸，12英寸

-

符合GB/T12962及其他要求的产品

硅单晶抛光片

6