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第3章ADE仿真基础与范例芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第1页/共80页
第3章ADE仿真基础与范例3.1直流仿真3.2交流仿真3.3瞬态仿真3.4噪声仿真3.5S参数仿真3.6参数扫描3.7蒙特卡洛仿真3.8本章小结第2页/共80页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617
3.1直流仿真直流分析是电路仿真和分析的基础,用于确定直流工作点或直流传输曲线。在直流仿真中,可以进行单点仿真,也可以通过指定参数和扫描范围生成传输曲线,扫描的参数可以是温度、器件参数、网表参数、电路参数等。第3页/共80页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617
3.1.1直流仿真基本设置对于直流工作点的分析,仿真器计算每个节点电压、每条支路电流,各PN节、晶体管的直流参数等;对于直流特性扫描,仿真器可以扫描和模拟多个参数:扫描电路温度参数:根据电路实际应用场景,设计者可以确定电路工作的温度范围,并对相应温度范围的电路进行仿真,得到直流工作点随温度变化的情况。扫描设计变量:设计者在电路设计中,为便于电路修改和仿真,有时会将一些电路参数首先设置为变量,例如:将电路的偏置电压设置为变量进行参数扫描,得到在不同偏置电压下电路的工作状态。?第4页/共80页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617
3.1.1直流仿真基本设置扫描器件参数:与扫描设计变量类似,有时会将电路中器件的参数,例如:晶体管的长和宽,电阻值、电感值和电容值等设置为变量进行扫描,得到在器件参数下电路的工作情况。扫描工艺库模型文件中的参数:通常在设计过程中,工艺库文件都由晶圆厂提供标准模型,所以一般不使用这项扫描功能。第5页/共80页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617
3.1.1直流仿真基本设置打开ADE窗口,选择[Analyses]→[Choose…],在弹出的对话框中选中“dc”选项,如图3.1所示,此时窗口中选择对电路温度进行扫描。为观察直流仿真结果,需要选中“SaveDCOperatingPoint”以保存电路的直流工作点信息。如果需要对参数进行扫描,还需要选中“SweepVariable”中的子选项。第6页/共80页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617图3.1模拟电路原理图实例
3.1.2实例分析本节以一个电阻为负载的共源放大器为例进行直流分析,分别进行直流工作点和直流特性扫描仿真,介绍直流分析的仿真流程。第7页/共80页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617
选择[File]→[New]→[Library],弹出“NewLibrary”对话框,输入“ADE_example”建立设计库,如图3.2所示。图3.2建立设计库芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第8页/共80页3.1.2实例分析
点击[OK]后,在图3.3所示的“TechnologyFileforNewLibrary”窗口中选择“Attachtoanexistingtechnologylibrary”选项图3.3选择关联的工艺库文件芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第9页/共80页3.1.2实例分析
弹出“AttachDesignLibrarytoTechnologyFile”对话框,如图3.4所示,在“TechnologyLibrary”选项的下拉菜单中选择已经存放于CadenceIC启动目录下的工艺库“smic18mmrf”,将设计库关联至SMIC18工艺库文件图3.4将设计库关联至SMIC18工艺库文件芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第10页/共80页3.1.2实例分析
将设计库关联至SMIC18工艺库文件,点击“OK”后即可在LibraryManager左侧栏里看到新建的“ADE_example”库。图3.5建立共源放大器电路芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第11页/共80页3.1.2实例分析
如图3.6所示,完成共源放大器电路的建立。图3.6共源放大器电路原理图芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例:基于CadenceIC617第12页/共80页3.1.2实例分析
?直流工作点仿真(1)添加激励。在上方的工具栏中点击[Ch
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