芯片设计 CMOS模拟集成电路设计与仿真实例基于Cadence IC 617 课件 第8章 带隙基准源1.pptx

第8章带隙基准源芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第1页/共36页

第8章带隙基准源8.1带隙基准源概述8.1.1带隙基准源性能参数8.1.2带隙基准源基本原理8.2实例分析:带隙基准电压源8.2.1电路搭建8.2.2电路参数仿真8.3本章小结第2页/共36页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617

基准源作为模拟集成电路中电压（或电流）基准参考源，为电路提供稳定的、低温漂、低噪声的电压（或电流）参考，具有输出电压与温度无关的基本特性，广泛应用于滤波器、ADC、DAC等模拟及数模混合信号电路中。基准源可以分为两种：基准电流源基准电压源为电子系统提供基准的直流电压信号和电流信号，受电源和工艺参数的影响很小，并具有确定的温度特性。第3页/共36页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC6178.1带隙基准源概述

带隙基准源的典型性能参数包括：温度系数电源抑制比功耗启动特性在设计过程中其性能参数需要根据需求进行综合考虑，下面主要介绍基准电压源的性能参数。第4页/共36页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC6178.1.1带隙基准源性能参数

温度系数（TemperatureCoefficient,TC）是用来衡量基准源输出信号随温度变化的性能参数。芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第5页/共36页(单位：ppm/℃)式中，TC是温度系数，Vmax和Vmin分别是温度范围内的基准电压的最大值和最小值，Vmean是电压平均值，Tmax和Tmin分别是所关注的温度范围的最大值和最小值。温度系数8.1.1带隙基准源性能参数

电源抑制比（PowerSupplyRejectionRatio,PSRR）是用来衡量基准源输出电压信号对电源电压波动的抑制能力的性能参数。VREF为基准电压，VDD为电源电压，?VREF/?VDD为某频率下基准电压与电源电压变化之比。电路的电源抑制比越大说明对电源噪声的抑制能力越强，反之，电源抑制比越小说明容易受到电源噪声的影响。芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第6页/共36页(单位：dB)电源抑制比8.1.1带隙基准源性能参数

功耗（Power）是单位时间内电路消耗的能量。随着集成电路的集成度不断提升，功耗成了各种集成电路都需要关注的指标，对于带隙基准源电路而言，功耗指标需保证在一个合理的范围内。芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第7页/共36页启动特性带隙基准源的启动特性（Startup）是一个功能性指标，不是一个定量的指标，描述的是基准源电路从电源上电到输出基准信号达到正常稳定工作值的过程。良好带隙基准源应该能够随着电源电压的升高快速启动，并在启动之后维持在正常工作状态，保持的稳定输出值。功耗8.1.1带隙基准源性能参数

带隙基准源最重要的特征就是其输出基准信号几乎不会随温度的变化而变化。第8页/共36页芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617电压源V1具有正的温度系数，电压源V2具有负的温度系数，选取α1和α2为两个权重值。两个具有相反温度系数的量按照适当的权重相加，那么即可得到零温度系数的物理量。8.1.2带隙基准源的基本原理

负温度系数电压双极性晶体管的基极-发射极电压（）具有随温度的升高而降低的特性芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第9页/共36页在CMOS工艺中，将三极管的基极和集电极连接在一起，即可获得二极管结构，其集电极电流（IC）基极-发射极电压（）关系如下所示：为二极管的饱和电流,VT为热电压,k为玻尔兹曼常数q为电子电量8.1.2带隙基准源的基本原理

芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第10页/共36页通过对T求导，当为一定值时可得：二极管饱和电流与成正比，μ为少数载流子的迁移率，代表硅的本征载流子浓度，这些参数均与温度有关负温度系数电压8.1.2带隙基准源的基本原理

芯片设计——CMOS模拟集成电路设计与仿真实例：基于CadenceIC617第11页/共36页μ近似正比于，这里m的取值