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包封材料;芯片黏接材料功能及作用
Bump材料;芯片黏接方法及黏接材料分类及异同点
导电胶组成及作用、导电机理、分类(结构、导电方向、基体、固化条件、导电粒子)
导电胶膜优点
互连焊料作用、优点、参数、互连实现、焊料基本要求
低温封接玻璃及要求
;芯片黏接材料发展方向
纳米颗粒填充芯片黏接材料、碳系导电黏接材料;包封保护材料:IC封装中,包封保护所用的材料。;图4-1塑料封装中的包封保护用塑封料示例;EMC:主要应用于IC芯片的封装保护,是IC电路后道封装的主要材料之一。;目录;目录;4.1.1环氧塑封料在先进封装中的应用;4.1.1环氧塑封料在先进封装中的应用;主体材料:热固性树脂,加热后基于高分子聚合物化学胶联来固化成型。
环氧塑封料组成:环氧树脂、固化剂、固化促进剂、无机填充料(硅微粉)、增韧剂、偶联剂、着色剂等助剂。
在专用设备进行混合、加热,制造成一定形状、尺寸的用于IC封装的专用热固性塑料。;环氧塑封料基本要求:
(1)CTE低。
(2)导热性好。
(3)气密性好,化学稳定性好,具有耐酸碱、耐高湿、耐高温的性能,可以减少外界环境对电子元器件影响。
(4)良好的机械强度,可以对芯片起到支撑和保护作用。
(5)良好的加工成型特性。;环氧塑封料基本要求:
还需具备黏度低、流动性好的特点。
当引线框架和芯片预先放置在模具型腔中时,环氧塑封料通过传递塑封成型技术,流经引线框架和芯片,并将集成电路芯片包裹其中,不会引起芯片与元器件内部结构明显变形。
填充后会发生聚合反应,使制件具有较好的机械稳定性、耐湿性和抗热性。;WLP对环氧塑封料关键技术要求:
填料粒径小(75mm)、翘曲小、无空洞、无流痕(Flowmark)。
一般用液态有机材料(如光敏绝缘介质材料),部分公司仍使用环氧塑封料,采用模压方式(CompressionMolding)进行封装。;4.1.1环氧塑封料在先进封装中的应用;环氧塑封料供应商集中在日本(Sumitomo,住友,HitachiChemical日立化成)、韩国、中国(江苏中鹏材料股份有限公司,江苏华海诚科新材料股份有限公司、天津凯华绝缘材料有限公司),高端主要是日本、韩国。
进口环氧塑封料占据国内大部分中高端市场。;分类;环氧塑封料按封装形式分类:分立器件用、集成电路用,没有明确界限。
制造流程基本相同,压塑封装用不需要预成型打饼,需要控制粉碎粒径,用户直接使用颗粒料进行封装。;环氧塑封料工作集中在降低应力、介电常数。目前降低塑封料应力的方法:
(1)添加应力改性剂,一般为硅橡胶或有机硅,可以与树脂形成海岛结构或直接与树脂反应,形成微细均匀分散体系,从而吸收塑封料的应力,达到降低应力目的。
(2)降低塑封料的CTE。主要是提高填料和使用新的树脂体系。
介电性是表征绝缘性能的重要参数,用低介电常数材料,采用低介电常数型基体树脂(如聚双环戊二烯环氧树脂),或低是电常数填料,控制原材料纯度至关重要。
一般硅微粉填充,介电性能得到改善,细颗粒填充比粗颗粒填充体系介电常数低。;12inch(300mm)–18inch(450mm);
Intel、Samsung及TSMC推动向18inch时代发展,工艺图形90nm-65nm,45nm,40nm,32nm,28nm,16nm,7nm,5nm发展,将硅片改善至更高集成度、功能性和速度,同时可以满足铜布线技术和低介电常数层介质技术的要求。
进一步,对填料粒径要求越来越高,对翘曲度要求也越来越高。;环氧塑封料发展方向:填料尺寸小,材料CTE小,与IC硅片及金属化层结合力高、防潮能力高、环保、良好的连续成膜性能,具体要求:
(1)在大的温度、频率范围内,具有优良的介电性能,能够满足高电压(大于600V)的需求。
(2)具有较好的成型加工性能。
(3)高导热率,国外3.0W/m·K以上。
(4)低吸水率,双85,168小时,吸水率小于0.15%.
(5)高黏接力:对于镀银、镀镍钯金框架,要提高黏接力,温度敏感1级。
(6)QFN/BGA的低翘曲度及普适性。;4.2底部填充料;作用:可缓解芯片、互连材料(焊球)和基板三者的CTE不匹配产生的内应力,分解芯片正面承载的应力,同时保护焊球、提高芯片的抗跌落性、热循环可靠性,在高功率器件中还能传递芯片间的热量。
窄节距互连,TCB(Therma-compression–bonding)。
传统TCB工艺逐层叠加芯片,采用毛细管底部填充工艺来填充芯征空隙,保护互连线。
随着芯片堆叠层数的增加和层间空隙的减小,传统工艺需要花费更多的时间来填充处理,且增加封装无缺陷叠层结构难度,导致生产效率降低和可靠性问题。;随着封装制程及新材料进步,新一代材料被开发出来,
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