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包封材料;芯片黏接材料功能及作用

Bump材料;芯片黏接方法及黏接材料分类及异同点

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导电胶膜优点

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低温封接玻璃及要求

;芯片黏接材料发展方向

纳米颗粒填充芯片黏接材料、碳系导电黏接材料;包封保护材料：IC封装中，包封保护所用的材料。;图4-1塑料封装中的包封保护用塑封料示例;EMC：主要应用于IC芯片的封装保护，是IC电路后道封装的主要材料之一。;目录;目录;4.1.1环氧塑封料在先进封装中的应用;4.1.1环氧塑封料在先进封装中的应用;主体材料：热固性树脂，加热后基于高分子聚合物化学胶联来固化成型。

环氧塑封料组成：环氧树脂、固化剂、固化促进剂、无机填充料（硅微粉）、增韧剂、偶联剂、着色剂等助剂。

在专用设备进行混合、加热，制造成一定形状、尺寸的用于IC封装的专用热固性塑料。;环氧塑封料基本要求：

（1）CTE低。

（2）导热性好。

（3）气密性好，化学稳定性好，具有耐酸碱、耐高湿、耐高温的性能，可以减少外界环境对电子元器件影响。

（4）良好的机械强度，可以对芯片起到支撑和保护作用。

（5）良好的加工成型特性。;环氧塑封料基本要求：

还需具备黏度低、流动性好的特点。

当引线框架和芯片预先放置在模具型腔中时，环氧塑封料通过传递塑封成型技术，流经引线框架和芯片，并将集成电路芯片包裹其中，不会引起芯片与元器件内部结构明显变形。

填充后会发生聚合反应，使制件具有较好的机械稳定性、耐湿性和抗热性。;WLP对环氧塑封料关键技术要求：

填料粒径小（75mm）、翘曲小、无空洞、无流痕(Flowmark)。

一般用液态有机材料（如光敏绝缘介质材料），部分公司仍使用环氧塑封料，采用模压方式(CompressionMolding)进行封装。;4.1.1环氧塑封料在先进封装中的应用;环氧塑封料供应商集中在日本（Sumitomo,住友，HitachiChemical日立化成）、韩国、中国（江苏中鹏材料股份有限公司，江苏华海诚科新材料股份有限公司、天津凯华绝缘材料有限公司），高端主要是日本、韩国。

进口环氧塑封料占据国内大部分中高端市场。;分类;环氧塑封料按封装形式分类：分立器件用、集成电路用，没有明确界限。

制造流程基本相同，压塑封装用不需要预成型打饼，需要控制粉碎粒径，用户直接使用颗粒料进行封装。;环氧塑封料工作集中在降低应力、介电常数。目前降低塑封料应力的方法：

（1）添加应力改性剂，一般为硅橡胶或有机硅，可以与树脂形成海岛结构或直接与树脂反应，形成微细均匀分散体系，从而吸收塑封料的应力，达到降低应力目的。

（2）降低塑封料的CTE。主要是提高填料和使用新的树脂体系。

介电性是表征绝缘性能的重要参数，用低介电常数材料，采用低介电常数型基体树脂（如聚双环戊二烯环氧树脂），或低是电常数填料，控制原材料纯度至关重要。

一般硅微粉填充，介电性能得到改善，细颗粒填充比粗颗粒填充体系介电常数低。;12inch（300mm）–18inch(450mm);

Intel、Samsung及TSMC推动向18inch时代发展，工艺图形90nm-65nm,45nm,40nm,32nm,28nm,16nm,7nm,5nm发展，将硅片改善至更高集成度、功能性和速度，同时可以满足铜布线技术和低介电常数层介质技术的要求。

进一步，对填料粒径要求越来越高，对翘曲度要求也越来越高。;环氧塑封料发展方向：填料尺寸小，材料CTE小，与IC硅片及金属化层结合力高、防潮能力高、环保、良好的连续成膜性能，具体要求：

（1）在大的温度、频率范围内，具有优良的介电性能，能够满足高电压（大于600V）的需求。

（2）具有较好的成型加工性能。

（3）高导热率，国外3.0W/m·K以上。

（4）低吸水率，双85，168小时，吸水率小于0.15%.

（5）高黏接力：对于镀银、镀镍钯金框架，要提高黏接力，温度敏感1级。

（6）QFN/BGA的低翘曲度及普适性。;4.2底部填充料;作用：可缓解芯片、互连材料（焊球）和基板三者的CTE不匹配产生的内应力，分解芯片正面承载的应力，同时保护焊球、提高芯片的抗跌落性、热循环可靠性，在高功率器件中还能传递芯片间的热量。

窄节距互连，TCB（Therma-compression–bonding）。

传统TCB工艺逐层叠加芯片，采用毛细管底部填充工艺来填充芯征空隙，保护互连线。

随着芯片堆叠层数的增加和层间空隙的减小，传统工艺需要花费更多的时间来填充处理，且增加封装无缺陷叠层结构难度，导致生产效率降低和可靠性问题。;随着封装制程及新材料进步，新一代材料被开发出来，