使用comsol multiphysics解决models mems biased resonator 2d basic模型.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.55万字
约 15页
2024-08-21 发布于北京
举报
版权申诉

使用comsol multiphysics解决models mems biased resonator 2d basic模型.pdf

1、本文档共15页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

标题使用COMSOLMultiphysics解决微分方程概述硅基微机械谐振器是设计用于传感器的重要器件之一，其性能对于消费电子市场的控制至关重要本文针对一个基于COMSOLmultiphysics52模块设计的表面硅基谐振器进行详细分析1硅基谐振器定义设计原理采用硅基表面微观结构制成介质性质基于COMSOLmultiphysics52模块进行分析结构参数波形二维或三维频率2μm及材质粘土组装方式单端固定，底部空气隔

SolvedwithCOMSOLMultiphysics5.2

StationaryAnalysisofaBiased

Resonator—2D

Introduction

Siliconmicromechanicalresonatorshavelongbeenusedfordesigningsensorsandare

nowbecomingincreasinglyimportantasoscillatorsintheconsumerelectronics

market.Inthissequenceofmodels,asurfacemicromachinedMEMSresonator,

designedaspartofamicromechanicalfilter,isanalyzedindetail.Theresonatoris

basedonthatdevelopedinRef.1.

Thismodelperformsastationaryanalysisoftheresonator,withanappliedDCbias.It

isusedasabasisforallthesubsequentanalyses.

ModelDefinition

Ref.1describesapolysiliconresonator,whichismanufacturedthroughasurface

micromachiningprocess.ThedetailsofthisprocessareoutlinedintheStationary

AnalysisofaBiasedResonator—3Ddocumentation.Forthis2Dstudy,asimplified

versionofthe3Dgeometryisconsidered.Forsimplicity,theresonatorismodeledas

a2μmthickrectangularbeamwithalengthof45μm.AFixedConstraintboundary

isappliedtoeachendoftheresonatortoactastheanchorpointsatwhichthe

resonatorisattachedtothesubstratewafer.Thewafersubstrateisnotexplicitly

modeled,insteadonlya0.1985μmthickairgapbetweentheresonatorandthe

substrateisincluded.TheeffectsofthedrivingelectrodeareincludedusingElectric

Potentialboundaryconditionsapplieddirectlytotheundersideoftheairgap,as

showninFigure1.

Notethatalthoughthestructurehasaplaneofsymmetry,whichverticallybisectsthe

device,wedonotuseasymmetryboundarycondition.Asubsequentmodelconsiders

thenormalmodesofthestructure,andasymmetryconditioneliminatesthe

anti-symmetricmodesfromthisanalysis.

1|STATIONARYANALYSISOFABIA

您可能关注的文档

文档评论（0）

158****9376 + 关注: 实名认证

文档贡献者

该用户很懒，什么也没介绍

咨询Ta 进入空间

1亿VIP精品文档

更多 >

使用comsol multiphysics解决models mems biased resonator 2d basic模型.pdfVIP