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CPU制造全过程
沙子变i7-详解CPU制造全过程看了上面的牛人纯手工制造CPU,你会不会觉得原来制造CPU也不过如此,但你仔细浏览完下面的文章,你应该会对之前的想法有所改观:
众所周知,CPU是计算机的心脏,是完成各种运算和控制的核心,也是决定计算机性能的最重要的部件。
在任何电子设备上都可以找到微芯片的身影,不过也有人不屑一顾,认为处理器这东西没什么技术含量,不过是一堆沙子的聚合而已。
是么?Intel就公布了大量图文资料,详细展示了从沙子到芯片的全过程,简单与否一看便知。
简单地说,处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤,而且每一步里边又包含更多细致的过程。
下边就图文结合,一步一步看看:
CPU制造:
第一阶段:
沙子:
硅是地壳内第二丰富的元素,而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25%的硅元素,以二氧化硅(SiO2)的形式存在,这也是半导体制造产业的基础。
硅熔炼:
12英寸/300毫米晶圆级,下同。
通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅,学名电子级硅(EGS),平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。
此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的,最后得到的就是硅锭(Ingot)。
单晶硅锭:
整体基本呈圆柱形,重约100千克,硅纯度99.9999%。
第一阶段合影步骤图CPU制造:
第二阶段:
硅锭切割:
横向切割成圆形的单个硅片,也就是我们常说的晶圆(Wafer)。
顺便说,这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧?晶圆:
切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕,表面甚至可以当镜子。
事实上,Intel自己并不生产这种晶圆,而是从第三方半导体企业那里直接购买成品,然后利用自己的生产线进一步加工,比如现在主流的45nmHKMG(高K金属栅极)。
值得一提的是,Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。
第二阶段合影步骤图CPU制造:
第三阶段:
光刻胶(PhotoResist):
图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体,类似制作传统胶片的那种。
晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
光刻一:
光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下,变得可溶,期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。
掩模上印着预先设计好的电路图案,紫外线透过它照在光刻胶层上,就会形成微处理器的每一层电路图案。
一般来说,在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。
光刻二:
由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。
一块晶圆上可以切割出数百个处理器,不过从这里开始把视野缩小到其中一个上,展示如何制作晶体管等部件。
晶体管相当于开关,控制着电流的方向。
现在的晶体管已经如此之小,一个针头上就能放下大约3000万个。
第三阶段合影步骤图CPU制造:
第四阶段:
溶解光刻胶:
光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉,清除后留下的图案和掩模上的一致。
蚀刻:
使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分,而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
清除光刻胶:
蚀刻完成后,光刻胶的使命宣告完成,全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
第四阶段合影步骤图CPU制造:
第五阶段:
光刻胶:
再次浇上光刻胶(蓝色部分),然后光刻,并洗掉曝光的部分,剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
离子注入(IonImplantation):
在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。
经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。
清除光刻胶:
离子注入完成后,光
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