CPU制造全过程_01完整版.doc

PAGE1/NUMPAGES1

CPU制造全过程

沙子变i7-详解CPU制造全过程看了上面的牛人纯手工制造CPU，你会不会觉得原来制造CPU也不过如此，但你仔细浏览完下面的文章，你应该会对之前的想法有所改观：

众所周知，CPU是计算机的心脏，是完成各种运算和控制的核心，也是决定计算机性能的最重要的部件。

在任何电子设备上都可以找到微芯片的身影，不过也有人不屑一顾，认为处理器这东西没什么技术含量，不过是一堆沙子的聚合而已。

是么？Intel就公布了大量图文资料，详细展示了从沙子到芯片的全过程，简单与否一看便知。

简单地说，处理器的制造过程可以大致分为沙子原料(石英)、硅锭、晶圆、光刻(平版印刷)、蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装上市等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。

下边就图文结合，一步一步看看：

CPU制造：

第一阶段：

沙子：

硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子(尤其是石英)最多包含25％的硅元素，以二氧化硅(SiO2)的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。

硅熔炼：

12英寸/300毫米晶圆级，下同。

通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅(EGS)，平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。

此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭(Ingot)。

单晶硅锭：

整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999％。

第一阶段合影步骤图CPU制造：

第二阶段：

硅锭切割：

横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆(Wafer)。

顺便说，这下知道为什么晶圆都是圆形的了吧？晶圆：

切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。

事实上，Intel自己并不生产这种晶圆，而是从第三方半导体企业那里直接购买成品，然后利用自己的生产线进一步加工，比如现在主流的45nmHKMG(高K金属栅极)。

值得一提的是，Intel公司创立之初使用的晶圆尺寸只有2英寸/50毫米。

第二阶段合影步骤图CPU制造：

第三阶段：

光刻胶(PhotoResist)：

图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。

晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。

光刻一：

光刻胶层随后透过掩模(Mask)被曝光在紫外线(UV)之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。

掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。

一般来说，在晶圆上得到的电路图案是掩模上图案的四分之一。

光刻二：

由此进入50-200纳米尺寸的晶体管级别。

一块晶圆上可以切割出数百个处理器，不过从这里开始把视野缩小到其中一个上，展示如何制作晶体管等部件。

晶体管相当于开关，控制着电流的方向。

现在的晶体管已经如此之小，一个针头上就能放下大约3000万个。

第三阶段合影步骤图CPU制造：

第四阶段：

溶解光刻胶：

光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。

蚀刻：

使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。

清除光刻胶：

蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。

第四阶段合影步骤图CPU制造：

第五阶段：

光刻胶：

再次浇上光刻胶(蓝色部分)，然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。

离子注入(IonImplantation)：

在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。

经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。

清除光刻胶：

离子注入完成后，光