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1.训练后处理应用实例
本例中的涡流模型由一个电导率σ=106,长度为100,横截面积为10×10m2的导体组成,导体通有幅值为100A、频率为60、初始相位ф=120°的电流。
启动并建立电磁分析
在系统下执行“开始”→“所有程序”→→15.0→64→3D命令,进入软件界面。
选择菜单栏中→命令,将文件保存名为“”
选择菜单栏中3D→命令,弹出对话框
单击按钮
依次单击→选项,弹出对话框,将单位设置成m,并单击按钮。
建立模型和设置材料
依次单击→命令,创建长方体
在绝对坐标栏中输入:5,5,0,并按键
在相对坐标栏中输入:5,5,100,并按键
单击几何实体,左侧弹出属性对话框,重命名为:
材料设置为,电导率为σ=106
依次单击→命令,创建长方体
在绝对坐标栏中输入:55,10,40,并按键
在相对坐标栏中输入:75,10,60,并按键
单击几何实体,左侧弹出属性对话框,重命名为:
依次单击→
在绝对坐标栏中输入:0,0,0,并按键
在相对坐标栏中输入:0,0,100,并按键
名为1
依次单击→,生成长方形
对角点为(20,-20,50)、(-20,20,50),名为2
依次单击→命令,弹出对话框,设置如下
(-100,-100,0)、(200,100,100)
指定边界条件和源
按f键,选择及的交界面,依次单击菜单中的3D→→→命令,在对话框中填入以下内容:
:100A
:120
单击按钮
按f键,选择及的另一个交界面,依次单击菜单中的3D→→→命令,在对话框中填入以下内容:
:100A
:120
按和按钮
设置求解规则
依次选择菜单栏中3D→→命令,此时弹出对话框,在对话框中设置:
(最大迭代次数):10
(误差要求):1%
(每次迭代加密剖分单元比例):50%
(设置激励源的频率):60
单击按钮。
依次选择菜单栏中的3D→命令,此时弹出的对话框中,如果全部项目都有?说明前处理操作没有问题;如果有?弹出,则需要重新检查模型;如果有!出现,则不会影响计算。
依次选择3D→命令,此时程序开始计算。
后处理
依次单击3D命令,弹出对话框
导体内的功率损耗(体积分)
方法一:
选择
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择∫
选择
得到计算损耗约为5
方法二:
计算公式为
选择J,获得电流密度矢量J;
选择
选择:,求J的共轭;
选择,出现窗口;
选择、;单击按钮
选择
选择:;
选择,设置为;:2;单击
选择/
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择∫
选择
得到计算损耗约为5
沿着导体路径的电压降(线积分)
计算电压降的实部:
计算公式为
选择J,获得电流密度矢量J;
选择,出现窗口;
选择、;单击按钮
选择:;
选择选择,在列表中选择1,然后单击按钮
选择
选择∫
选择
得到电压降的实部分量为0.05V
计算电压降的虚部:
计算公式为
选择J,获得电流密度矢量J;
选择,出现窗口;
选择、;单击按钮
选择:;
选择选择,在列表中选择1,然后单击按钮
选择
选择∫
选择
得到电压降的实部分量为-0.0866V
理论计算电压降幅值为
安培定律(线积分)
计算磁场强度的实部分量沿着线2的线积分
选择H;
选择:;
选择选择,在列表中选择2,然后单击按钮
选择
选择∫
选择
出现86.58A
实际电流的实部是100×120=86.58A
计算磁场强度的虚部分量沿着线2的线积分
选择H;
选择:;
选择选择,在列表中选择2,然后单击按钮
选择
选择∫
选择
出现-49.98A
实际电流的虚部是100×120=50A
计算相位
选择和操作,确认计算器顶部为-49.98A,接下来是86.58A
选择2,得到相位为120.000
计算磁通密度散度(体积分)
计算磁通密度的实部分量散度在上的体积分
选择B;
选择:;
选择
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择∫
选择
出现-9.68×10-10A
计算磁通密度的虚部分量散度在上的体积分
选择B;
选择:;
选择
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择∫
选择
出现1.68×10-9A
磁通量的计算(面积分)
磁通量实部的计算
选择B
选择?Y
选择:;
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择∫
选择
出现5.06×10-8
磁通量实部的计算
选择B
选择?Y
选择:;
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择选择,在列表中选择,然后单击按钮
选择∫
选择
出现-8.76×10-8
磁通量的幅度为1.01×10-7,进而可以获得导体及积分表面边界构成的矩形环之间的互感为
在环内感应电压的幅度为
计算总电阻损耗(体积分)
16_302
选择
选择选择,在列表中选
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