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器件应力降额及关键用法规范(V3.0)

艾默生网络能源有限公司

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修订内容

V2.0

刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、凌太华、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、黎晓东、艾项德、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥

2002-11-30

产品保修期等级及I、II工作区定义；

器件应力考核点定义及考核系数调整；

增加“器件考核点的测试或计算”说明；

器件应力降额查检表修改和调整；

增加器件关键用法查检；

增加查检器件种类；

V2.1

刘海涛、刘善中、王树明、姚天宝、朱勇、杨爱泉、朱吉新、胡全年、胡楠、王文建、陈宪涛、陈亚秋、罗眉、易序馥

2003-10-30

1、 新增“产品额定工作点”定义；

2、 对7类器件在产品额定工作点下的关键应力降额系数进行了规定，这些器件包括：MOSFET、IGBT、晶闸管、整流桥、功率二极管、三极管、铝电解电容器；

3、 除上述器件外，也对部分其它器件，如IC器件、钽电解、保险管等的I、II区降额系数根据实际使用情况作了适当的修订；

4、在保险管规范中，新增了“半导体保护用熔断器”降额规定；

5、 对应降额规范的修订，上述器件的“器件工作应力与降额查检表”作了相