光刻胶，前40大生产商占据全球90%的市场份额（2023）.pdfVIP

全球市场研究报告

半导体光刻胶全球市场总体规模

光刻胶是利用光化学反应经光刻工艺将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工基片上的图形转移介质，

由成膜剂、光敏剂、溶剂和添加剂等主要化学品成分和其他助剂组成，在紫外光、深紫外光、电子束、离子

束等光照或辐射下，其溶解度发生变化，经适当溶剂处理，溶去可溶性部分，最终得到所需图像。其被广泛

应用于光电信息产业的微细图形线路的加工制作，是微细加工技术的关键性材料。在光刻工艺中，光刻胶被

均匀涂布在硅片、玻璃和金属等不同的衬底上，经曝光、显影和蚀刻等工序将掩膜版上的图形转移到薄膜

上，形成与掩膜版完全对应的几何图形。

随着高集成度、超高速、超高频集成电路及元器件的开发，集成电路与元器件特征尺寸呈现出越来越精细的

趋势，加工尺寸达到百纳米直至纳米级，光刻设备和光刻胶产品也为满足超微细电子线路图形的加工应用

而推陈出新。光刻胶的分辨率直接决定了特征尺寸的大小，通常而言，曝光波长越短，分辨率越高，因此为

适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的曝光波长由紫外宽谱向g线（436nm）→i线（365nm）→KrF

（248nm）→ArF(193nm)→EUV（13.5nm）的方向转移，并通过分辨率增强技术不断提升光刻胶的分辨率

水平，而紫外宽谱光刻胶更多应用于分立器件。半导体光刻胶包括普通宽普光刻胶、g线（436nm）、i线

（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）及最先进的EUV(13.5nm)光刻胶，级越往上其极限分辨率越

高，同一面积的硅晶圆布线密度越大，性能越好。用于制造6inch-12inch各工艺节点与类型的晶圆制造，

包括晶圆制造光刻胶和先进封装光刻胶。

图.半导体光刻胶产品图片

资料来源：TOKYOOHKAKOGYOCO.,LTD.(TOK)

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图.光刻工艺示意图

资料来源：SK海力士及QYResearch整理

图.半导体光刻胶分类及应用

资料来源：威迈芯材

据QYResearch调研团队最新报告“全球半导体光刻胶市场报告2024-2030”显示，预计2030年全球半导

体光刻胶（包括EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶、i/g-Line光刻胶）市场规模将达到40亿美元，未来

几年年复合增长率CAGR为6.3%。

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图.全球半导体光刻胶市场总体规模

GlobalMarketSize($Mn)

4,000

2,585

1,859

201920242030

如上图表/数据，摘自QYResearch半导体研究中心最新报告“全球光刻胶市场研究报告2024-2030”.

图.全球半导体光刻胶市场规模对比：EUV、ArF、KrF、g/i-line

如上图表/数据，摘自QYResearch半导体研究中心最新报告“全球光刻胶市场研究报告2024-2030”.

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图.全球半导体光刻胶市场前30强生产商排名及市场占有率（基于2023年调研数据；目前最新数据以

本公司最新调研数据为准）

全球市场光刻胶主要生产商排名

东京应化TOK

信越化学Shin-Etsu