纳米n-ZnO-p-GaN异质结构的制备与特性研究.docxVIP

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纳米n

ZnO/p

GaN异质结构的制备与特性研究

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柯昀洁

【摘要】随着社会的发展，新材料器件越来越多的应用于社会生活中。论文在p-GaN衬底上利用水热法制备了n-ZnO/p-GaN异质结构，制备的ZnO具有多晶纤锌矿结构，在380nm具有明显的紫外发光峰，在正向偏压下，该结构发出蓝紫光。

【Abstract】Withthedevelopmentofsociety，newmaterialsanddevicesareincreasinglyappliedindailylife.Inthispaper，then-ZnO/p-GaNheterostructureswerepreparedbyhydrothermalmethodonthep-GaNsubstrate.ThepreparedZnOhadapolycrystallinewurtzitestructurewithobviousUVemissionat380nm.Underforwardvoltage，thestructureemitsblue-violetlight.

【关键词】氧化锌；氮化镓；异质结

【Keywords】ZnO；GaN；heterojunction

TN304【文献标志码】A1673-1069（2017）12-0152-02

1引言

进入21世纪后，新材料技术的发展日新月异，以宽带隙半导体为代表的第三代半导体材料在能源、信息存储、照明等方面有着极为重要的应用。ZnO作为一种纤锌矿结构的宽带隙化合物半导体，激子束缚能高达60meV[1]，十分适合短波长低阈值激光器的制备，而且ZnO的原材料易于获取，容易腐蚀且无毒，在器件工艺方面优势明显。尤其是其纳米晶体具有特殊的压电和光电特性，是当前材料科学研究中的热点之一。但是ZnO材料因其是本征的n型材料，自补偿效应十分明显，很难获得p型，因而在制作光电器件时多研究异质结构。GaN与ZnO具有相同的晶体结构，且3.40eV的带隙十分接近ZnO，并且p-GaN已经商业化，n-ZnO/p-GaN结构具有极大的应用潜力。本文利用水热法在p-GaN上制备ZnO纳米结构，并研究该异质结构的特性。

2实验

本研究采用MOCVD生长的商用p-GaN作为衬底，利用水热法在其上生长ZnO纳米结构。在生长前，将p-GaN衬底依次利用丙酮、酒精、稀盐酸、去离子水超声清洗，清洗时间均是10min。将衬底放入磁控溅射中进行ZnO籽晶层的沉积，籽晶层厚度约15nm。随后进行ZnO纳米结构的生长：将衬底竖直浸入在摩尔比1：1的Zn（CH3COO）22H2O和C6H12N4混合溶液中，在95℃下生长5h。随后将样品取出，用去离子水将样品冲干净，用氮气枪吹干。随后光刻出图形，然后在利用稀盐酸溶液对无掩模保护的ZnO进行湿法刻蚀，刻蚀至露出GaN衬底，吹干后送至电子束中进行Ni电极制备，最后洗去光刻胶。随后进行第二次光刻，在ZnO上制备出图形，在电子束中同样进行ZnO上Al电极的制备，洗去光刻胶，吹干后得到了n-ZnO/p-GaN异质结构，如图1所示。用掠入射XRD分析样品的结构特性，用室温PL谱表征样品的光学特性，EL谱用来测试样品的电学特性。

3结果与分析

3.1结构分析

图2是样品的XRD图，扫描范围为20～50o。由图中可知，样品为六角纤锌矿多晶结构，2θ=31.850、34.540、36.280分别对应的为（100）、（002）、（101）晶面，其半峰宽（FWHM）分别是1.120、1.270、1.040。利用Scherer公式计算其晶粒尺寸：D=0.9λ/Bcosθ，其中λ是X衍射Cuα的波长（0.154nm），B是半峰宽，θ是衍射角。得到各晶面晶粒的尺寸分别是7.4nm，6.55nm，8.03nm，表明晶粒的尺寸在6～8nm之间。

图3是样品的PL图，由图中可知，样品具有一个很强的近紫外发光峰，其峰位在380nm附近，一般認为是由ZnO的激子辐射复合产生的。在550～650nm有一个较弱的可见光发光带，通常被认为是由缺陷发光引起的。样品具有很高的紫外可见比，说明具有很好的光学性质。

3.3电学性质

在样品的GaN电极上加上正电压，在ZnO面电极上加上负电压，样品略微发出蓝紫光，峰位在415nm左右，一般认为是来源于GaN中与Mg能级相关的DAP对[2]，分析主要原因在于n-ZnO的载流子的浓度（1019cm-3）要远高于p-GaN中载流子的浓度（1017cm-3），导致电子很容易进入GaN中发光，而空穴则很难进入到ZnO中实现ZnO的发光。因此，可以在二者之间设计一个阻挡层，使得