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双极型晶体管中,集电极和发射极之间的电流主要由什么类型载流子构成?
A.自由电子
B.电子+空穴
C.空穴
D.光子
答案:B
解析:在双极型晶体管中,无论是NPN还是PNP型,集电极和发射极之间的电流都是由电子和空穴两种载流子的运动共同构成的。
在双极型晶体管的共射接法中,哪个极是输入和输出信号的公共端?
A.集电极
B.基极
C.发射极
D.栅极
答案:C
解析:在共射接法中,发射极是输入信号和输出信号的公共端,基极接收输入信号,集电极输出信号。
当双极型晶体管工作在放大区时,其基极与发射极的电压关系通常是?
A.基射电压为零
B.基射电压正偏
C.基射电压反偏
D.基射电压反向击穿
答案:B
解析:在放大区工作时,NPN型晶体管的基射电压正偏,PNP型晶体管的基射电压则为负偏,但这里指的是正向偏置状态。
在双极型晶体管中,电流放大系数通常用哪个字母表示?
A.α
B.β
C.γ
D.δ
答案:B
解析:双极型晶体管的电流放大系数常常用β表示,它定义了基极电流的变化多少倍可以反映到集电极电流上。
双极型晶体管的发射区主要是为了?
A.提供高浓度的载流子
B.减少电流放大
C.提高工作电压
D.控制集电区的电流
答案:A
解析:发射区的主要目的是提供高浓度的载流子,以确保进入基区的载流子数量,从而可以被集电区有效收集。
当双极型晶体管工作在饱和区时,集电极和基极的电位关系如何?
A.集电极电位高于基极电位
B.集电极电位等于基极电位
C.集电极电位低于基极电位
D.集电极电位与基极电位无关
答案:C
解析:在饱和区,集电极-基极电压(Vcb)为正或接近零,这意味着集电极电位低于或等于基极电位。
双极型晶体管(BJT)的C-E高电平截止特性是指?
A.集电极-发射极间无电流,基极-发射极间正偏
B.集电极-发射极间有电流,基极-发射极间反偏
C.集电极-发射极间无电流,基极-发射极间反偏
D.集电极-发射极间有电流,基极-发射极间正偏
答案:C
解析:当晶体管工作在截止区时,集电极-发射极电压可视为开路,没有电流流动,同时基极-发射极间反偏,确保晶体管关断。
在温度升高时,双极型晶体管的电流放大系数β如何变化?
A.不变
B.上升
C.下降
D.随机变化
答案:B
解析:温度升高时,晶体管内的载流子浓度增加,因此β值也会相应上升。
对于NPN型双极型晶体管,当基极电流增大时,集电极电流如何变化?
A.减小
B.增大
C.不变
D.反相
答案:B
解析:基极电流增大时,更多的载流子会被注入基区,从而导致集电极电流也同比例增大。
双极型晶体管的基区厚度为什么要设计得非常薄?
A.为了增加电流放大系数
B.为了减少基区的电流损耗
C.为了提高工作频率
D.为了降低制造成本
答案:B
解析:基区设计得薄可以减少载流子在基区的扩散和复合,从而减少基区的电流损耗,保证良好的电流放大效果。
在一个NPN型双极型晶体管中,假设基极电流是10μA,β=100,那么集电极电流大约是多少?
A.1mA
B.10mA
C.100μA
D.100mA
答案:A
解析:集电极电流计算公式为Ic=β*Ib,因此Ic≈10μA*100=1mA。
在双极型晶体管中,控制信号加在哪个极?
A.集电极
B.基极
C.发射极
D.体区
答案:B
解析:双极型晶体管的基极接收控制信号,通过改变基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。
当BJT温度升高时,发射结的正向压降如何变化?
A.显著增加
B.显著减小
C.略微减小
D.略微增加
答案:C
解析:温度升高时,发射结的正向压降会略微减小,这是因为温度上升导致内部载流子浓度增加,使得正向偏置所需电压稍有减少。
在集电极开路的双极型晶体管中,集电极和发射极间的电流如何与基极电流相关?
A.无关
B.直接正比
C.反比
D.非线性关系
答案:A
解析:集电极开路时,没有集电极电压来吸引发射区的载流子,因此集电极和发射极间几乎没有电流,与基极电流关系不大。
双极型晶体管在深度饱和状态时,发射结和集电结分别处于什么状态?
A.发射结正向偏置,集电结反向偏置
B.发射结反向偏置,集电结正向偏置
C.发射结和集电结均正向偏置
D.发射结和集电结均反向偏置
答案:C
解析:在深度饱和状态时,发射结和集电结均处于正向偏置状态,以保证电流可以自由流动。
在双极型晶体管的输出特性曲线中,当基极电流保持不变时,集电极电流随着集电极电压的增加而如何变化?
A.线性增加
B.线性减小
C.几乎不变
D.非
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