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钛酸铋铁电薄膜的掺杂改性研究

钛酸铋铁电薄膜的掺杂改性研究

摘要：本文主要讨论钛酸铋铁电薄膜的掺杂改性研究。首先分析了

钛酸铋的半导体特性和铁电性质对于其在光电领域的应用意义。其次介

绍了钛酸铋铁电薄膜制备的技术路线和掺杂改性实验方法。最后讨论了

不同掺杂元素对钛酸铋铁电薄膜光电性能的影响。

关键词：钛酸铋；铁电薄膜；掺杂改性；光电性能

一、介绍

钛酸铋(TiO2-Bi2O3)是一种宽带隙半导体材料，并具有铁电性质。

它具有优异的光电性能、可见光响应和较小的能带间隙等特性，因此在

许多领域得到了广泛的研究和应用。其应用包括光催化分解有机物、制

备防腐蚀涂层、光热转换器、光电转换器等。

钛酸铋的铁电性质来源于与铋离子的钛氧四面体结构相链接。在外

加电压或电场下，钛酸铋会发生极化，所产生的极化反转具有优异的电

介质性质和薄膜晶体管等工业应用领域的重要意义。

二、制备技术及实验条件

目前制备钛酸铋铁电薄膜主要有磁控溅射、电子束蒸发、溶胶-凝胶

法等。其中以溶胶-凝胶法制备的钛酸铋铁电薄膜品质最高，薄膜晶体质

量高。实验过程中，先将钛酸铋前体与低聚钛酸酯放置于有机溶剂中反

应生成溶胶，再通过加入氨基酸进行酸碱调节，使反应混合物逐渐凝胶

形成，再在恒温恒湿的条件下干燥，进行薄膜形成。实验条件为：Ti源

的浓度控制在0.1mol/L为佳，热处理温度800℃，时间1h，薄膜厚度

20~500nm。

采用溶胶-凝胶法制备的钛酸铋薄膜样品可以被同时掺杂多种元素，

如：Fe、Cr、Ni、Co、Mn、Zr、Ce。这些材料的掺杂都可给钛酸铋铁电

薄膜带来新特性。在实验中，直接将掺杂元素离子选择性地引入到溶胶

中，协同溶胶凝胶过程中发生的相互作用，从而完成薄膜的掺杂改性。

掺杂元素对酸度和碱度的助镀性有所区别，如Fe3＋,Ce3＋,Cr3＋

阳离子离子半径较小，它们主要在氧化钛晶体结构中取代Ti4+，形成

CrO42-等。而Zr4+,Ce4+阳离子离子半径较大，主要取代Ti4+位成为

Ti-O-Zr，Ti-O-Ce等，作为新型的氧缺陷结构的成分。

掺杂元素的浓度(h)对薄膜晶体结构和光电性质的影响是较大的。在

实验中一般选择0~10%的掺杂比例进行搭配。

三、影响因素

掺杂元素对于钛酸铋铁电薄膜的光电性能有显著的影响。实验测量

结果表明：掺杂Fe、Zr元素改善了钛酸铋膜的光电性能，制备出更适用

于光电转换器件的材料。而掺杂Cr、Mn等元素则会对钛酸铋的催化性质

产生负面影响。此外，薄膜占有的元素离子越多，则薄膜的光电性能越

好。

四、结论

掺杂元素在制备钛酸铋铁电薄膜过程中，通过选择合适的掺杂方法

和实验条件，可显著改善钛酸铋薄膜的光电性能。其中，Fe、Zr元素的

掺杂能够产生良好的效果。在实验的过程中，控制每一步操作的实验条

件不失为一种有效的改善钛酸铋铁电薄膜光电性能的措施。