浅谈光纤预制棒工艺篇.pdfVIP

写在前面：前几天，笔者写了篇文章《七宗写在前面：前几天，笔者写了篇文章《七宗最最：国内光纤预制棒生产商盘点（图）》，没

想到一发不可收拾，心痒痒了，居然有想做成一个系列的冲动，哈哈。由于涉及到很强的专

业性，与同事们交流时小小的争论也就在所难免，有交流才会有进步嘛。不过，去写这类文

章往往需要花费大量的时间，因此笔者最好的打算是接下来一周会去写1~2篇有关光棒、

光纤、光模块等等方面的知识普及，还请持续关注，多多支持。

前文已谈到国内光纤预制棒生产商就这么几家（指已开始正常生产的），那么是什么原

因制约了它的发展呢？无外乎两方面：资金和技术。尤其是技术，一般来讲，核心技术往往

为公司的立足之本，不可轻易对外公布。

现现已知已知为全球公认为全球公认的的较较成成熟熟的的技术技术有有以以下下四种四种，，它它们们统称为统称为气相沉积法气相沉积法，可按照烧制

方方式分为式分为管管内内法法和和管外法管外法，见下图：

这里跟大家普及一下相关知识，并辅以图演示。

图为OVD演示图

管外汽相沉积法（OutsideVapourDeposition，简称OVD）是1970年美国康宁公司

的Kapron研发的简捷工艺。OVD工艺的化学反应机理为火焰水解，即所需的芯玻璃组成

是通过氢氧焰或甲烷焰中携带的气态卤化物(SiCl4等)产生产生粉末粉末逐渐地一层一层沉积而获

得的。OVD工艺有沉积和烧结两个具体工艺步骤：先按所设计的光纤折射分布要求进行多

孔玻璃预制棒芯棒的沉积(预制棒生长方向是径向由里向外)，再将沉积好的预制棒芯棒进行

烧结处理，除去残留水份，以求制得一根透明无水份的光纤预制棒芯棒，OVD工艺最新的

发展经历从单喷灯沉积到多喷灯同时沉积，由一台设备一次沉积一根棒到一台设备一次沉积

多根棒，从而大大提高了生产率，降低了成本。

图为VAD演示图

汽相轴向沉积法（VapourAxialDeposition，简称VAD）是1977年由日本电报电话公

司的伊泽立男等人，为避免与康宁公司的OVD专利的纠纷所发明的连续工艺。VAD工艺的

化学反应机理与OVD工艺相同，也是火焰水解。与OVD工艺不同的是，VAD工艺沉积获

得的预制棒的生长方向是由下向上垂直轴向生长的。烧结和沉积是在同一台设备中不同空间

同时完成的，即预制棒连续制造。VAD工艺的最新发展由上世纪70年代的芯、包同时沉积

烧结，到上世纪80年代先沉积芯棒再套管的两步法，再到上世纪90年代的粉尘外包层代

替套管制成光纤预制棒。

图为MCVD演示图

改进的管内化学气相沉积法（ModifiedChemicalVapourDeposition，简称MCVD）是

1974年由美国ATT公司贝尔实验室的Machesney等人开发的经典工艺。MCVD工艺为

朗讯等公司所采用的方法。MCVD工艺是一种以氢氧焰热源，发生在高纯度石英玻璃管内

进行的气相沉积。MCVD工艺的化学反应机理为高温氧化。MCVD工艺是由沉积和成棒两

个工艺步骤组成。沉积是获得设计要求的光纤芯折射率分布，成棒是将已沉积好的空心高纯

石英玻璃管熔缩成一根实心的光纤预制棒芯棒。现MCVD工艺采用大直径合成石英玻璃管

和外包技术，例如用火焰水解外包和等离子外包技术来制作大预制棒。这些外包技术弥补了

传统的MCVD工艺沉积速率低、几何尺寸精度差的缺点，提高了质量、降低了成本，增强

了MCVD工艺的竞争力。

图为PCVD演示图

等离子体管内化学气相沉积法（PlasmaChemicalVapourDeposition，简称PCVD）

是1975年由荷兰飞利浦公司的Koenings提出的微波工艺。PCVD与MCVD的工艺相似之

处是，它们都是在高纯石英玻璃管内进行气相沉积和高温氧化反应。所不同之处是热源和反

应机理，PCVD工艺用的热源是微波，其反应机理为微波激活气体产生等离子使反应气体电

离，电离的反应气体呈带电离子。带电离子重新结合时释放出的热能熔化气态反应物形成透

明的石英玻璃沉积薄层