Ku波段低温低噪声放大器设计-隔离器.docx

?

?

Ku波段低温低噪声放大器设计

隔离器

?

?

论文导读:：本文采用插指电容新结构设计了一个Ku波段低温低噪声放大器(LNA)，并通过优化的封装工艺制备了放大器样品，分析了隔离器对LNA性能的影响。在77K温度下测试结果表明，放大器增益约10dB，噪声系数小于2.0dB，反射系数小于17dB。

论文关键词：低温低噪声放大器(LNA)，Ku波段，隔离器，噪声系数

?

1、引言

在微波通讯系统中，接收机噪声特性的优劣是决定系统接收灵敏度的重要因素，而接收前端的低噪声放大器（LNA）是影响接收系统噪声指标的关键部件，其噪声特性将直接影响系统整体的噪声水平[1]。低温下工作的Ku波段放大器具有极低的噪声特性，在微波通信、卫星通信、天文观测等领域中都具有非常重要的应用。当前Ku低温低噪声放大器的研究工作只有少量报道，性能尚不能达到实际使用的要求。

本文设计并制作了一个Ku波段低温低噪声放大器隔离器，旨在与高温超导滤波器级联，使用在高温超导滤波子系统之中[2]。该LNA采用插指电容新结构，使用ADS软件仿真优化性能，并通过优化的封装工艺制备了LNA样品站。在77K温度下测试结果表明，噪声系数小于2dB，增益约10dB，反射系数小于20dB。该LNA已与Ku波段超导滤波器成功级联。

2、低温低噪声放大器的仿真设计

2.1器件选择

Ku波段LNA要求选用具有低噪声特性的晶体管，而高电子迁移率场效应管(HEMT)是新型的具有低噪声优点的一类晶体管，符合设计要求。通过晶体管性能分析并综合设计需要，选取了NEC公司的某一HEMT产品，其理论常温噪声系数高至18GHz只有0.75dB。

低损耗的PCB基板是研制Ku波段LNA的另一重要材料。本工作选用Rogers公司的高频PCB板，在高频段具有低插损特性，微波性能良好。

2.2反射系数的设计

LNA设计中都需要考虑对反射系数S(1,1)和S(2,2)的设计隔离器，一般需要优化至-15dB以下，而最优化S(1,1)、S(2,2)的目标与最小化噪声和最大化增益往往是矛盾的，这给LNA的设计工作带来了很大的不便和困难。IsaacLopez-Fernandez在他的工作中使用了放大器设计中可以不考虑其反射性能，而使用隔离器来完善的方法[3]，同时还给出了隔离器附加噪声温度的计算公式：

其中隔离器的物理温度，是放大器的等效噪声温度，是隔离器可达到的增益。根据这个公式计算可以知道，对于一般的LNA和隔离器，77K低温下隔离器附加噪声温度不超过20%，相对于直接在设计中优化反射的办法，隔离器的附加噪声更小，同时可以大大简化设计过程。因此本工作反射系数不再进行最优化设计，而采用级联隔离器的方法改善器件之间的匹配站。

2.3稳定性设计

为了保证LNA的可靠工作隔离器，需要保证其全频段无条件稳定，或至少要保证工作频段附近绝对稳定。LNA的稳定性判据为[4]：

和

其中：，

在ADS中，有其自身设计的稳定系数Mu，只要Mu1就实现了绝对稳定。在ADS中对我们选用的HEMT晶体管进行仿真，图1给出了其全频带Mu值，可以发现其全频带Mu1，也就是全频带绝对稳定，因此在设计过程中不会存在陷入潜在不稳的问题。同时因为我们在输入输出端都采用了隔离器设计，可以进一步优化反射，保证了LNA的稳定工作。

?

图1LNA稳定性系数

?

?

图2插指电容

?

2.4直流隔离的设计

LNA在设计中，需要抑制直流偏置电压对前后级器件的影响，因此需要在LNA的输入输出端分别加上隔直电路。在低频段隔离器，隔直电容可以很好地实现这一功能，但在Ku高频段，电容的性能有很大不同，而且会引入较大的插损，本文采用插指微带结构实现隔直功能，其结构如图2所示。该结构的S(2,1)特性ADS仿真结果如图3所示。可以看到，该插指电容对低频信号有很好的过滤作用，可以起到有效的隔绝直流的效果，而在所需的频段，信号能很好的穿过，插损仅有0.1dB左右，优于集总元件电容。

?

图3插指电容的S21响应曲线

?

2.5直流偏置设计

直流偏置电压决定了HEMT的静态工作点，直接决定了系统的工作状态。直流偏置电路的要求是在保证将偏置电压正确送入HEMT管脚的同时做到与交流电路部分的良好隔离隔离器，使得微波信号不会泄露进入直流电路部分站。我们采用的直流偏置电路是四分之一波长线加扇形线的设计，如图4所示。

?

图4直流偏置扇形线电路结构

根据四分之一波长线的输入阻抗计算公式：，其中为四分之一波长线的特征阻抗，为负载阻抗。理想情况下扇形微带线相当于接地电容，因此，由此得到，相当于开路，因而将交流电路里的微波信号与直流电路隔离开，防止了微波信号向直流电路的泄露。在现实情况下，不可能完全为零，为了提高，必须尽量增大，也就是减小四分之一波长线的宽度隔离器，同时为