选择题题库40道：电子信息工程专业-专业课程-集成电路设计_半导体物理与器件原理.docxVIP

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在半导体中，温度升高对载流子浓度的影响是什么？

A．载流子浓度不变

B．载流子浓度降低

C．载流子浓度增加

D．载流子浓度先增加后降低

答案:C

解析:温度升高会增加半导体中的载流子浓度，因为更多电子能获得足够能量跃迁至导带。

什么是半导体的禁带宽度？

A．导带顶到价带底的能量差

B．导带底到价带顶的能量差

C．能级的最高点到最低点的能量差

D．任意两个能级之间的能量差

答案:A

解析:半导体的禁带宽度定义为导带顶与价带底之间的能量差异。

在PN结中，耗尽层位于哪里？

A．仅在P型半导体一侧

B．P型和N型半导体的交界面

C．仅在N型半导体一侧

D．耗尽层不在半导体中形成

答案:B

解析:耗尽层形成于PN结的交界面，是由于载流子的扩散和复合过程导致的。

当温度变化时，硅二极管的正向压降有何变化？

A．温度升高时，压降增加

B．温度升高时，压降减小

C．温度变化不影响压降

D．温度升高时，压降先减小后增加

答案:B

解析:硅二极管的正向压降随温度升高而轻微减小。

下列哪一项不是影响硅基MOSFET的阈值电压的因素？

A．衬底掺杂浓度

B．氧化层厚度

C．电路的负载电阻

D．金属栅极与半导体之间的功函数差

答案:C

解析:电路的负载电阻不是影响MOSFET阈值电压的直接因素。

在半导体中，费米能级的位置与载流子浓度有何关系？

A．无直接关系

B．载流子浓度增加，费米能级上升

C．载流子浓度增加，费米能级下降

D．费米能级始终保持在禁带中间

答案:B

解析:载流子浓度增加，费米能级会上升，更接近导带或价带。

半导体材料中的载流子包括？

A．空穴和正离子

B．电子和负离子

C．空穴和电子

D．正离子和负离子

答案:C

解析:半导体中的载流子是电子和空穴。

什么是半导体器件的雪崩击穿？

A．当外加电压达到一定值时，器件的阻值突然增大

B．当外加电压达到一定值时，器件的阻值突然减小

C．器件在高电压下突然释放大量能量

D．器件在高电流下突然释放大量能量

答案:B

解析:雪崩击穿发生在高电压下，导致半导体器件的阻值突然降低。

在半导体晶体中，下列描述错误的是？

A．每个原子周围有4个邻近原子

B．晶体结构为钻石结构

C．每个原子贡献一个价电子

D．晶体结构为面心立方结构

答案:C

解析:在硅晶体中，每个原子确实贡献电子，但不是为了形成简单的价电子，而是形成共价键。

以下哪项不是增强型MOSFET（NMOS）的特征？

A．当栅极电压高于阈值电压时，器件导通

B．栅极与源极之间的电压可以控制沟道电阻

C．在零栅极电压下，器件默认导通

D．栅极与源极之间的电压可以控制沟道的形成

答案:C

解析:对于增强型NMOS，零栅极电压下器件默认关闭，而非导通。

在PN结二极管中，反向偏置意味着什么？

A．P区电位高于N区电位

B．N区电位高于P区电位

C．P区和N区电位相等

D．P区和N区电位差值为零

答案:B

解析:反向偏置时，N区电位高于P区电位，使PN结处于反向电压状态。

什么是半导体器件中的“热电子效应”？

A．载流子在高温下变得不易移动

B．高温下，载流子的能量分布变宽

C．高电场下，电子获得足够能量跨过势垒

D．高电场下，电子和空穴的复合速率增加

答案:C

解析:热电子效应指在高电场下，电子获得足够能量跨过势垒进入集电极。

在微电子器件中，使用哪种材料可以提高电子迁移率？

A．Si

B．SiO2

C．GaAs

D．Al2O3

答案:C

解析:GaAs（砷化镓）的电子迁移率高于Si，因此在某些高速器件中更常使用。

以下哪项描述了半导体的表面态？

A．电子和空穴在晶体内部的陷阱

B．电子和空穴在半导体表面的陷阱

C．在半导体内部均匀分布的缺陷态

D．高能级的载流子在半导体表面的快速迁移

答案:B

解析:表面态指的是电子和空穴在半导体表面处的陷阱位置。

以下哪种类型的杂质dope（掺杂）可以将硅变成P型半导体？

A．磷

B．硼

C．铝

D．氧

答案:B

解析:硼（B）是三价元素，当掺杂到四价的硅中时，会形成空穴的供体，使硅成为P型半导体。

PN结的正向电压将如何影响势垒区的宽度？

A．势垒区宽度增加

B．势垒区宽度减小

C．势垒区宽度不变

D．势垒区宽度先减小后增加

答案:B

解析:正向电压会减小PN结势垒区的宽度，因为电场被外部电压削弱。

半导体材料中的施主杂质的作用是？

A．提供空穴

B．提供电子

C．形成PN结

D．增加电阻率

答案:B

解析:施主杂质（通常是五价元素）提供额外的电子，使材料成为N型半导体