过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原理研究.pdfVIP

过渡金属掺杂ALN基稀磁半导体铁磁性第一性原理

研究

随着信息技术的发展，稀磁半导体及其磁性特性的研究变得日益重

要。稀磁半导体是DMS（DiluteMagneticSemiconductor），这种半导

体与磁性材料相比具有替代性、可扩展性和低成本的优势。其中，ALN

（AluminumNitride）是一种具有优异性能的稀磁半导体材料，其在电子

学和光电子学领域都有着广泛的应用。本文将对ALN材料中过渡元素掺

杂的影响以及如何改变其磁性特性进行探讨。

一、ALN基稀磁半导体的铁磁性研究

ALN具有广泛的应用前景，但由于其无磁性，存在一定的局限性。

过渡金属掺杂是一种改变ALN材料磁性的有效方法。在过渡金属原子的

掺杂下，ALN可实现从无磁性到铁磁性的转变，从而增强其在信息存储

和其他领域的应用前景。

根据第一性原理计算方法，选择5种稀磁半导体元素（Cr、Mn、Fe、

Co、Ni）对ALN进行掺杂，并研究其对ALN本征强度的影响。结果表明，

通过对ALN进行掺杂，可实现从无磁性到铁磁性的转变，其中Fe的磁性

最强，掺杂浓度达到5%时，其磁性达到最大值，这样的掺杂效果非常明

显。

二、过渡金属掺杂对磁性特性的影响

掺杂过渡金属元素后，ALN材料的磁性特性发生了明显的变化。掺

杂后，Fe的局域自旋磁矩变化最大，表现为Fe原子与ALN中的N原子

形成四面体的配位关系，并且在此过程中，Fe原子的d轨道与N原子的

p轨道发生了杂化，从而形成了近似于p-d弱截断的铁磁相互作用，这是

导致铁磁性形成的主要原因之一。

除了局域自旋磁矩的变化外，掺杂过渡金属元素还对ALN材料的晶

体结构和电子结构产生了影响。掺杂元素的引入改变了ALN材料的晶格

常数和原子坐标，导致ALN结构失稳，从而打破了对称性。电子结构的

变化则表现为杂化现象的出现，即掺杂元素d轨道与ALN中的p轨道混

合，从而影响材料的能带结构和电性质，从而改变了其磁性特性。

三、结论

通过对ALN基稀磁半导体铁磁性进行第一性原理计算分析，表明掺

杂过渡金属元素是实现稀磁半导体铁磁性转变的有效方法，其中Fe的磁

性最强。同时，掺杂通过改变ALN材料的晶体结构和电子结构产生影响，

改变其磁性特性，这是实现单一晶体材料多种磁性特性的主要原因之一。

此外，本研究可进一步深入探讨掺杂元素浓度、掺杂位置及其对

ALN材料其他性质的影响，从而为实现ALN材料的多功能性提供理论依

据。