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基于平面变压器的反激式电源设计

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陈修计陈漫

摘要：目前，我国的经济发展十分迅速，平面变压器相对于传统变压器具有漏感低、转换效率髙、散热性能好等优点。此处以印制电路板（PCB）上铜箔绕制线圈形成集成的EI平面变压器，并进行了反激式直流电源转换电路设计。首先运用PEMAG和Maxwell对变压器进行3D建模仿真，控制气隙使其电感量达到398.5|xH，满足变压器设计需求;通过PSPICE对电路参数进行仿真验证，优化电路参数;设计具有多路输出的反激式转换器PCB并进行打样和贴片。电路测试结果表明该反激式电源具有100￣400V的宽输入电压，输出电压12V/6V/3.3V，最大负载电流0.5A，开关频率85kHz，效率可达82%;随着负载和占空比的变化，控制输出电压稳定，各路输出电压调整率和负载调整率均达到预期要求.

关键词：变压器;反激式电源;电路设计

引言

当前，随着开关电源性能要求的不断提高，对其技术设计提出了更高的要求。反激变换器具有输入电压范围宽、结构简单和性能稳定等优点，广泛应用于电源设计。本文基于UC3844设计了单端反激开关稳压电源，取得了良好的稳压效果。

1变压器设计

在设计开关电源时需要注重变压器设计，电源性能会直接影响变压器设计合理性。变压器输出功率和输入功率估算方面，按照输出电压和输出电流设计大小对总输出功率进行计算，公式如下：计算变压器最大/最小流输入电流和电压。在经过整流桥之后，交流电最小输入直流电压和最大输入直流电压可以按照以下公式计算：最小输入直流电压计算公式中所减少的40V主要是直流纹波和整流桥压降之和，在最小值计算中主要应用上述公式。金属氧化物半导体场效应晶体管的额定电压在600V左右，因此在Vin（max）位置需要预留30V裕量。在该种情况下，漏极电压应当小于560V，且漏极电压在Vin+Vz，因此，满足：计算变压器脉冲信号最大占空比方面，电网电压在220V数值上波动时，经全波整流处理之后，直流输入电压数值最大可达到342V，最小可达到240V，将反射电压设置为VOR时，则可以应用以下公式计算出最大占空比：在进行计算之后得出：峰值电流和纹波电流估算方面，在计算峰值电流和纹波电流时可以通过以下公式进行计算：通常情况下，KRP数值为0.4，如果交流输入电压为230V，则数值选取为0.6.单片反激开关电源在CCM模式下连续运行。充分考虑器件资料，则开关电源设计KRP数值选择为0.7.确定变压器磁芯尺寸。相比于成品电感来说，磁性元件电感在设计期间需要增加气隙从而加强磁芯储存能量的能力，如果不存在气隙，磁芯在存储少量能量之后就会出现饱和。在增加气体比较大，则会相应加多匝数，从而加大绕组铜耗。其次，增加匝数会相应加大绕组占用窗口的面积。因此在实际设计期间需要考虑多种因素，利用下式进行计算：

2平面变压器设计仿真

2.1变压器参数设计

变压器参数设计的初始条件：输入电压为100-400V，输出功率为12W，输出两路隔离电压/电流为12V/0.5A，辅助绕组侧12V输出电压后接LDO降压为6V，次级12V输出电压后接LDO降压为3.3V，多路隔离的输出可供各控制芯片使用或者驱动MOSFET等。输出电压纹波嘛

2.2反激电路参数选择

1）开关器件参数选择及选型根据UC3844的4管脚接入的RC值，可得PWM波频率为153.3kHz，开关器件承受最大电压值为393V，开关器件的额定电压为786～1179V，额定电流范围为0.50～0.66A。本文最终选择了TO-220F封装的7N65MOSFET作为开关器件。2）肖特基二极管参数选择及选型流过每个肖特基二极管的电流平均值为1.25A，有效值为1.77A。由于肖特基二极管承受的最大电压为45.5V，考虑安全裕量，肖特基二极管的额定电压为91.0～136.5V，额定电流为1.69～2.25A。本文最终选择了SR3100肖特基二极管（最大耐压值100V，正向平均电流最大值3A）。

2.3反馈控制

电路的反馈稳压原理如图3所示。当输出电压升高时，经电阻R11、R10和R12分压后，接到TL431参考输入端（误差放大器的反向输入端）的电压随之升高，导致TL431端的电压Vka下降，而流经光耦二极管的电流if变大。电压下降电流升高，造成光耦集射极瞬态电阻值变小，UC3844引脚1的电平变小，导致PWM锁存器发生复位，脉冲变窄，MOSFET功率管的导通时间变短。

2.4驱动电路

驱动电路电压为16V，在开启电源之后，经整流滤波的交流电能够获得直流电，利用电阻降压后能够为其提供电能，当电压满足16V之后，启动芯片会产生波形驱动信号，与栅极阻尼电阻进行串联。在进入正常运行状态之后，电源变压器副边绕组所产生的交流电经过整流滤处理之后能够为芯片提供电源