乐鑫ESP-PSRAM64-和-ESP-PSRAM64H-技术规格书说明书.pdfVIP

ESP-PSRAM64

ESP-PSRAM64H

技术规格书

版本1.1

版权©2020

关于本⽂档

本⽂档介绍了ESP-PSRAM64和ESP-PSRAM64H的技术规格。

发布说明

⽇期版本发布说明

2018.06V1.0⾸次发布。

2020.10V1.1更新附录–芯⽚丝印

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⽬录

1.简介1

2.管脚布局和描述2

3.上电初始化3

4.Wrap边界切换操作4

5.接⼝描述6

5.1.地址空间 6

5.2.⻚⾯⼤⼩ 6

5.3.上电状态 6

5.4.命令真值表 6

5.5.命令终⽌ 7

6.SPI模式操作9

6.1.SPI读操作 9

6.2.SPI写操作 10

6.3.SPI四线模式使能操作 11

6.4.SPI读取ID操作 12

7.QPI模式操作13

7.1.QPI读操作 13

7.2.QPI写操作 13

7.3.QPI四线模式退出操作 14

8.复位操作15

9.输⼊/输出时序16

10.电⽓特性17

10.1.极限参数 17

10.2.⼯作条件 17

10.3.管脚电容 17

10.4.直流电⽓特性 18

10.5.交流电⽓特性 18

11.产品外观尺⼨20

A.附录–芯⽚丝印21

1.简介

1.简介

ESP-PSRAM64和ESP-PSRAM64H是64Mbit伪静态随机存储器(PseudoSRAM)，采⽤⾼性能

⾼可靠性的CMOS⼯艺制造。ESP-PSRAM64的⼯作电压为1.8V，⽀持⾼达144MHz的时钟频

率；ESP-PSRAM64H的⼯作电压为3.3V，最⾼⽀持133MHz的时钟频率。跨越⻚⾯边界的突发

操作的最⼤输⼊时钟频率为84MHz。

这两种PSRAM芯⽚均可以通过串⾏外设接⼝(SPI)进⾏访问。如果应⽤程序需要更快的数据速

率，则芯⽚也⽀持四线外设接⼝(QPI)。PSRAM芯⽚同时还⽀持对存储器的⽆限次读写。

本⽂档的内容适⽤于这两个PSRAM芯⽚，不同的地⽅会标示出来。

表1-1.ESP-PSRAM64和ESP-PSRAM64H订购信息

最⼤时钟

型号产品密度包装类型⼯作温度范围