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存储器实验报告总结
存储器实验报告
一、实验设计方案
实验框图
文字说明
实验原理：实验原理框图如图实验原理图所示，原理框图中的
地址计数器PC可以接收数据开关产生数据，该数据作为地址信息
发送到总线；也可以自动加1计数（用于连续读/写操作）产生地
址信息。地址寄存器AR，存放即将访问的存储单元的地址。两
组发光二极管显示灯中一组显示存储单元地址；另一组显示写入
存储单元的数据或从存储单元读出的数据。写入存储器的数据是
由二进制开关设置并发送到总线上的。
存储器芯片中有片选信号menmenab，其值为1时则RAM被选
中，可以对其进行读/写操作，反之则RAM未被选中，不能对其
进行读写操作。存储器芯片还有两个读/写控制端（RD、WE）；片
选信号有效
（menmenab=1）以及时钟信号到达的情况下，WE=1，RD=0，
则存储器进行写操作；反之，WE=0，RD=1，则存储器进行读操作。
一、功能验证
1:a)实验仿真波形图：
b)参数设置
EndTime:2us
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GridTime:40ns
c)初始数值设置
sw_bus：1
Pc_bus：1
menmenab:1
we:0
rd:0
Ldar:0
Pcclr:1
Pcld|pcen:00
input[7..0]:00
Arout[7..0]:00
d)信号功能描述及属性
sw_bus：作为使能端控制数据的输入。
Pc_bus：控制地址数据输出到总线和地址寄存器。
menmenab:存储芯片的片选信号。
we:写操作控制信号。
rd:读操作控制信号。
Ldar:控制地址寄存器中的数据传入RAM的控制信号。
Pcclr:地址数据的清零信号，当其值为0时地址
清零。
Pcld|pcen:01时，将总线上的数据传入PC，
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11时，pc=pc+1;地址计数自动加1。
input[7..0]:地址数据输入端。
Arout[7..0]:寄存器输入RAM的地址数据。
e)波形说明和操作步骤
1)0-80ns：进行初始化
Sw|pc_bus:11:数据输入到总线的开关关闭，进入地址寄存器的
控制开关关闭。
M|w|r:100：此时不执行读写操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en：100：清零控制关闭，装载入PC的控制端关闭，
PC使能端无效。
Input[7..0]:00
D~result:ZZ
Arout[7..0]:01
2)80-160ns
Sw|pc_bus:01:数据输入到总线的开关开启，输入的数据进入总
线，进
入地址寄存器的控制开关关闭。
M|w|r：100：此时不执行读写操作。
Ldar:0:地址总线装载入RAM的开关关闭。
Pc_clr|ld|en：101：清零控制关闭，装载入PC的控制端关闭，
PC使能端有效。
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Input[7..0]:01
D~result:01
Arout[7..0]:00
3)160-240ns
Sw|pc_
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