模拟电子技术基础：半导体三极管及放大电路基础.ppt

*4.1半导体三极管（BJT）4.2共射极放大电路4.3图解分析法4.4小信号模型分析法4.5放大电路的工作点稳定问题4.6共集电极电路和共基极电路4.7放大电路的频率响应4.8多级放大电路这一章是课程的重要章节，内容涉及放大电路的基本概念、基本电路和基本分析方法。主要内容：1、半导体三极管的结构及工作原理，放大电路的三种基本组态。2、静态工作点Q的不同选择对非线性失真的影响。3、用H参数模型计算共射极放大电路的主要性能指标。4、共集电极电路和共基极电路的工作原理。5、三极管放大电路的频率响应。学习指导学习目标：1、掌握BJT的电流分配关系、放大条件及放大工作原理；2、掌握静态、动态、直流通路、交流通路、频率特性及温度漂移等基本概念；3、掌握结合具体电路进行合理近似的估算法；4、学会用图解法分析放大电路的静态、动态工作情况；5、熟练掌握运用小信号模型等效电路法计算放大电路的动态性能指标；6、熟练掌握共射（包括工作点稳定电路）、共集和共基放大电路的工作原理及特点；7、掌握放大电路频率特性的相关概念；8、会画出近似波特图；9、定性了解多级放大电路频带宽度与单级的关系。4.1半导体三极管（BJT）BJT是通过一定的工艺，将两个PN结结合在一起的器件。由于两个PN结之间的相互影响，使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用，从而使PN结的应用发生了质的飞跃。BJT的应用:(1)在模拟电路中作为放大元件(2)在数字电路中作为开关元件1个PN结:二极管,单向导电性,开关作用,非线性电阻2个PN结:三极管,电流控制作用,开关作用3个PN结:晶闸管,可控整流4.1.1BJT的结构简介4.1.3BJT的特性曲线4.1.4BJT的主要参数4.1.2BJT的电流分配与放大（控制）原理4.1半导体三极管（BJT）4.1.1BJT的结构简介半导体三极管的结构示意图如下图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管发射结(Je)集电结(Jc)基极，用B或b表示（Base）发射极，用E或e表示（Emitter）；集电极，用C或c表示（Collector）。发射区集电区基区三极管符号结构特点(对NPNPNP型均适用)发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。管芯结构剖面图1、要使三极管具有电流放大作用所必须提供的条件：外部条件：外加直流电压源保证发射结正偏，集电结反偏。内部条件:发射区的掺杂浓度最高；集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大；基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。4.1.2BJT的电流分配与放大原理两个PN结,每个有正偏和反偏两种状态,组合起来,共有4种状态:发射结正偏,集电结反偏:放大区，在模拟放大电路中使用发射结正偏,集电结正偏:饱和区发射结反偏,集电结反偏:截止区发射结反偏,集电结正偏:倒置状态,基本上没有什么用处在数字电路中使用2、三极管具有电流放大作用时在三极管内部载流子的传输过程（以NPN管为例介绍）（1）发射区向基区注入自由电子（对NPN管子为自由电子，对PNP管子为空穴）发射结正偏发射区多子向基区扩散，形成发射极电子电流InE基区多子向发射区扩散,小，可忽略漂移运动很弱，可忽略发射极电流IE=InE（2）自由电子在基区扩散与复合（对NPN管子为自由电子，对PNP管子为空穴）在基区内自由电子继续向集电结方向扩散一部分与基区空穴复合，形成基极复合电流IB绝大部分扩散到集电结边缘三极管制成后二者分配比例就已经确定（3）集电区收集从发射区扩散过来的载流子（对NPN管子为自由电子，对PNP管子为空穴）集电结反偏发射区扩散过来的自由电子向集电区漂移集电区自身的少子向基区漂移基区自身的少子向集电区漂移扩散运动难以进行形成集电极电子电流Inc形成反向饱和电流ICBO集电极电流IC=Inc+ICBO基极电流IB=IB-ICBO以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管或BJT(BipolarJunction