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半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺

一.硅片的化学清洗工艺原理

硅片通过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大体可分在三

类：

A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来

去除。

B.颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径≥0.4μm

颗粒，运用兆声波可去除≥0.2μm颗粒。

C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才干清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两

大类：

a.一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。

b.另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。

硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾

污:

A.使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中

或吸附在硅片表面。

B.用无害的小直径强正离子（如H+）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于

清洗液中。

C.用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。

自1970年美国RCA实验室提出的浸泡式RCA化学清洗工艺得到了广泛应用，1978年RCA

实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出

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来，例如：

⑴美国FSI公司推出离心喷淋式化学清洗技术。

⑵美国原CFM公司推出的Full-Flowsystems封闭式溢流型清洗技术。

⑶美国VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例Goldfinger

Mach2清洗系统）。

⑷美国SSEC公司的双面檫洗技术（例M3304DSS清洗系统）。

⑸日本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁

净技术达成了新的水平。

⑹以HF/O3为基础的硅片化学清洗技术。

目前常用H2O2作强氧化剂，选用HCL作为H+的来源用于清除金属离子。

SC-1是H2O2和NH4OH的碱性溶液，通过H2O2的强氧化和NH4OH的溶解作用，使有机

物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。

由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化Cr、Cu、Zn、Ag、Ni、Co、Ca、Fe、Mg等使

其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。

为此用SC-1液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。

SC-2是H2O2和HCL的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作

用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与CL-作用生成的可溶性络合物亦随

去离子水冲洗而被去除。

在使用SC-1液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。

二.RCA清洗技术

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传统的RCA清洗技术：所用清洗装置大多是多槽浸泡式清洗系统

清洗工序：SC-1→DHF→SC-2

1.SC-1清洗去除颗粒：

⑴目的：重要是去除颗粒沾污（粒子）也能去除部分金属杂质。

⑵去除颗粒的原理：

硅片表面由于H2