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荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应

的研究

荷能重离子辐照引起InP和GaN晶体结构损伤效应的研究

摘要：

光电子材料在各个工程领域中广泛应用，如半导体、光电子器件和

太阳能电池等。然而，辐照对于材料的性能和稳定性有重要影响。本文

以InP和GaN两种典型光电子材料为对象，通过荷能重离子辐照实验研

究，对比分析了辐照对二者晶体结构的损伤效应。结果表明，荷能重离

子辐照能够引起InP和GaN晶体结构的损伤，但对于二者的损伤机理和

程度存在一定差异。通过进一步研究分析辐照引起的损伤机理，可以为

光电子材料的应用和性能优化提供理论指导。

关键词：荷能重离子辐照；InP；GaN；晶体结构损伤

引言：

InP和GaN是两种重要的光电子材料，具有优异的光电性能，因而

在半导体器件、光电子器件和太阳能电池等领域中得到广泛应用。然而，

光电子材料在使用和应用过程中经常受到不同辐射源的辐射，如氢离子、

质子、电子等。尤其是荷能重离子辐照对材料的性能和稳定性产生重要

影响。因此，研究荷能重离子辐照引起的晶体结构损伤效应对于材料的

应用和性能优化具有重要意义。

实验方法：

本文选取InP和GaN作为研究对象，进行荷能重离子辐照实验。实

验中采用不同能量和剂量的荷能重离子束进行辐照，通过SEM、XRD和

TEM等表征手段分析了辐照后InP和GaN晶体结构的变化。

结果与讨论：

实验结果表明，荷能重离子辐照能够引起InP和GaN晶体结构的损

伤。在InP材料中，辐照后观察到表面的微裂纹和内部结构的变化。随

着辐照剂量的增加，微裂纹的数量和尺寸增加，晶体结构出现严重的位

错。在GaN材料中，辐照后观察到表面的疏松和内部的缺陷形成。随着

辐照剂量的增加，疏松程度和缺陷数量增加，晶体结构发生明显变化。

进一步的分析发现，InP和GaN晶体结构的损伤机理存在差异。InP材料

的损伤主要由辐照诱导的位错和晶体结构变形导致，而GaN材料的损伤

主要由辐照诱导的缺陷形成导致。

结论：

荷能重离子辐照能够引起InP和GaN晶体结构的损伤，但对于二者

的损伤机理和程度存在一定差异。对于InP材料，辐照引起的损伤主要

表现为位错和晶体结构变形；对于GaN材料，辐照引起的损伤主要表现

为缺陷形成。通过进一步研究分析辐照引起的损伤机理，可以为光电子

材料的应用和性能优化提供理论指导。

参考文献：

[1]WangX,SongJ,SuY,etal.EffectsofionirradiationonInP-

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