半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案_百(精).pdfVIP

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第一章习题

1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k和价带极大值附近能

量EV(k分别为：

Ec=

（1）禁带宽度;

（2）导带底电子有效质量;

（3）价带顶电子有效质量;

（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化

解：（1）

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2.晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别

计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

解：根据：得

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补充题1

分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密

度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）

Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：

（a）(100晶面（b）(110晶面

（c）(111晶面

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补充题2

一维晶体的电子能带可写为，

式中a为晶格常数，试求

（1）布里渊区边界；

（2）能带宽度；

（3）电子在波矢k状态时的速度；

（4）能带底部电子的有效质量；

（5）能带顶部空穴的有效质量

解：（1）由得

（n=0，1，2…）

进一步分析，E（k）有极大值，

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时，E（k）有极小值

所以布里渊区边界为

(2能带宽度为

(3）电子在波矢k状态的速度

（4）电子的有效质量

能带底部所以

(5能带顶部，

且，

所以能带顶部空穴的有效质量

半导体物理第2章习题

1.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？

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答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实

际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。

（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。

（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺

陷等。

2.以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导

体。

As有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个Ge原子形成共价键，还剩余一

个电子，同时As原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个As

原子取代一个Ge原子，其效果是形成一个正电中心和一个多余的电子.多余的电

子束缚在正电中心，但这种束缚很弱,很小的能量就可使电子摆脱束缚，成为在晶

格中导电的自由电子，而As原子形成一个不能移动的正电中心。这个过程叫做施

主杂质的电离过程。能够施放电子而在导带中产生电子并形成正电中心，称为施

主杂质或N型杂质，掺有施主杂质的半导体叫N型半导体。

3.以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过