双面TOPCon电池制备方法.pdf

T/TMACXXX—2024

双面TOPCon电池制备方法

1范围

本文件规定了双面TOPCon电池制备的材料要求、制备环境、制备工艺、人员要求、性能测试、质量

控制等技术要求和方法。

本文件适用于双面TOPCon电池的工业生产及实验室研发，主要涵盖了硅片、氧化层、钝化接触层、

导电电极、封装材料等关键组件的制备方法。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T12963硅单晶材料

GB/T14264半导体材料术语

GB/T15262二氧化硅材料厚度测量方法

GB/T18309胶膜粘附力测试方法

GB/T21422硅片电阻率测量方法

GB/T21984光刻胶材料规范

GB/T25822导电电极材料技术要求

GB/T31918电子材料清洗剂技术要求

GB/T31948太阳能电池封装材料技术要求

3术语和定义

3.1

双面TOPCon电池bifacialTOPConsolarcell

利用隧穿氧化钝化接触技术，在电池的两面都具备电流收集和光电转换功能的太阳能电池。

3.2

双面TOPCon电池隧穿氧化层bifacialTOPConcelltunnelingoxidelayer

由热氧化法或化学气相沉积法生成的极薄二氧化硅（SiO）层，位于硅片表面，用于控制载流子的2

隧穿效应并减少表面复合，其厚度通常在1.5nm至2.0nm之间。

3.3

双面TOPCon电池钝化接触层passivatedcontactlayerfordouble-sidedTOPConcells

通过沉积在硅片表面的掺杂多晶硅层，用于减少表面复合并提供高效的电流传输。此层通常为10nm

至20nm厚度，由掺杂磷（N型）或硼（P型）的多晶硅组成。

3.4

双面TOPCon电池背钝化层double-sidedTOPConbatterybackpassivationlayer

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双面TOPCon电池背面沉积的材料层，通常由氮化硅（SiN）或氧化铝（AlO）组成，主要用于减少

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背面复合损失，提高光的反射率，以增强电池的整体光电转换效率。

4材料要求

4.1硅片材料要求

a）类型：应选用高纯度N型或P型单晶硅片，其直径或边长应符合GB/T12963规定的要求；

b）电阻率：硅片的电阻率应为1-3Ω·cm，确保光电转换效率；

c）厚度：硅片的厚度应控制在150µm至180µm之间，以确保良好的机械强度和电性能；

d）表面质量：硅片表面应平整光滑，不得有明显的划痕、缺角、裂纹等缺陷，符合GB/T14264标

准的表面质量要求；

e）尺寸公差：硅片的尺寸公差不得超过±0.1mm。

4.2氧化层材料要求

a）材料：应使用热氧化法或化学气相沉积（CVD）法生成的二氧化硅（SiO₂）作为隧穿氧化层；

b）厚度控制：氧化层的厚度应在1.5nm至2.0nm之间，确保隧穿电子效应的实现；

c）均匀性：氧化层的厚度均匀性应控制在±0.2nm范围内，确保电池两面均匀工作，符合GB/T15262

的要求；

d）耐腐蚀性：氧化层应具备良好的耐化学腐蚀性，能够抵抗生产过程中酸碱溶液的影响。

4.3钝化接触材料要求

a）材料类型：钝化接触材料采用掺杂磷（N型）或硼（P型）的多晶硅材料，确保电池具有低电阻

和良好的导电性；

b）厚度要求：多晶硅钝化接触层的厚度应在10nm