半导体三极管分解课件.pptVIP

半导体三极管2.1双极型半导体三极管2.2单极型半导体三极管2.3半导体三极管电路的基本分析方法2.4半导体三极管的测试与应用

半导体三极管

第2章半导体三极管2.1.1晶体三极管(SemiconductorTransistor)一、结构、符号和分类collector分类：按材料分：硅管、锗管按结构分：NPN、PNP集电极CC—集电区集电结NP基极BP—基区发射结BNPNbase—发射区按使用频率分：低频管、高频管按功率分：E发射极EemitterCC小功率管500mW中功率管0.5?1W大功率管1WBBNPN型PNP型EE

第2章半导体三极管二、电流放大原理1.三极管放大的条件发射区掺杂浓度高基区薄且掺杂浓度低集电结面积大发射结正偏外部条件集电结反偏内部条件2.满足放大条件的三种电路ECuECBBuoouuouiuiiCB共基极E共发射极共集电极实现电路RRBCRCuRuouiEoui

第2章半导体三极管三极管内载流子运动3.三极管内部载流子的传输过程I1)发射区向基区注入多子电子，CIICBO形成发射极电流I。CNE2)电子到达基区后I(基区空穴运动因浓度低而忽略)B多数向BC结方向扩散形成I。CN少数与空穴复合，形成IBN。基极电源提供(IB)穴来源集电区少子漂移()IBN基区空ICBOIE即：I?I+IBNBCBOCBOI=I–IBBN3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流ICI=I+ICCNCBO

第2章半导体三极管4.三极管的电流分配关系I=I?II=I+IBBNCBOCCNCBO当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即：穿透电流I=I+IECB

第2章半导体三极管i2.1.2晶体三极管的特性曲线一、输入特性CiCBB+uRC+输出回路RBECE?+输入uV+BECCV回路与二极管特性相似IE??BB?iRBB+R+BVBB?+uVBE?BB?O特性右移(因集电结开始吸引电子)特性基本重合(电流分配关系确定)导通电压U硅管：(0.6?0.8)V取0.7VBE(on)锗管：(0.2?0.3)V取0.2V

第2章半导体三极管输出特性二、输出特性2.放大区：条件：发射结正偏集电结反偏iC/mA432150μA40μA30μA20μA10μAIB=0饱和区特点：水平、等间隔3.饱和区：u?u放大区CEBEu=u?u?0CB条件：两个结正偏CEBEI特点：I??I截止区CEOBCO246u临界饱和时：8/VCEu=uCEBE1.截止区：I?02.深度饱和时：BI=I?0.3V(硅管)0.1V(锗管)CCEOUCE(SAT)=03.条件：两个结反偏

第2章半导体三极管三、温度对特性曲线的影响1.温度升高，输入特性曲线向左移。T2T1温度每升高1?C，U?(2?2.5)mV。BE温度每升高10?C，I约增大1倍。CBOO2.温度升高，输出特性曲线向上移。iT2T1C温度每升高1?C，??(0.5?1)%。输出特性曲线间距增大。i=0i=0BBi=0OBuCE

第2章半导体三极管2.1.3晶体三极管的主要参数i/mA一、电流放大系数1.共发射极电流放大系数—直流电流放大系数50μA40μA30μA20μA10μAIB=0684C321Qu/VCE?—交流电流放大系数O24一般为几十?几百2.共基极电流放大系数??1一般在0.98以上。二、极间反向饱和电流CB极间反向饱和电流ICBO，CE极间反向饱和电流ICEO。

第2章半导体三极管三、极限参数Ci(P34)已知:I=20mA,P=100mW，ICM安全CMCMPU(BR)CEO=20V，CM当U=10V时，I10mACEC工当U=1V，则I20mACEC作当I=2mA，则U20VICEOCCEu区U(BR)CEOOCE1.I—集电极最大允许电流，超过时?值明显降低。CM2.P—集电极最大允许功率损耗P=i?u。CMCCCE3.U(BR)CEO—基极开路时C、E极间反向击穿电压。U(BR)CBO—发射极开路时C、B极间反向击穿电压。U(BR)EBO—集电极极开路时E、B极间反向击穿电压。UU(BR)CEOU(BR)EBO(