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半导体代工厂的特气供应系统探讨

摘要：对在半导体晶圆代工厂中应用的特种气体及气体的不同特性进行

了分类和讨论，进而对特种气体在晶圆厂的主要供应流程及其要点进行

了阐述，并且对在晶圆厂有着重要作用的关键管件及重要设计进行了探

讨。

关键词：晶圆代工；特种气体；大宗气体；阈限值

1引言

在目前工艺技术较为先进的半导体晶圆代工厂的制造过程中，全部工艺

步骤超过450道，其中大约要使用50种不同种类的气体。一般把气体分

为大宗气体(BulkGas)和特种气体(SpecialGas)两种。大宗气体一般是指

集中供应且用量较大的气体，涵盖制程用气如PO2,PAr,PH2,PHe，以及

非制程用气如CDA,IA,GN2等。特种气体主要有各种掺杂用气体、外延

用气体、离子注入用气体、刻蚀用气体以及其他广为各种制程设备所使

用的惰性气体等。如扩散工艺中作为工艺腔清洁所用的ClF3，干层刻蚀

时常用的CF4,CHF3与SF6等，以及离子注入法作为n型硅片离子注入

磷源、砷源的PH3和AsH3等[1]。从以上的应用可以看出，气体在半导

体晶圆代工厂有着非常重要的作用。因为各种气体的特性不同，所以要

设计出不同的气体输送系统来满足各种不同制程设备的需求。本文主要

讨论特种气体的分类、供应和相关的关键管件等。

2特气的分类

半导体制造业所使用的特种气体一般按其使用时的特性见图1，可分为五

大类[2]，

（1）易燃性气体

把自燃、易燃、可燃气体等都定义为这类气体。如常温下的SiH4气体只

要与空气接触就会燃烧，当环境温度达到一定时，PH3与B2H6等气体

也会产生自燃。可燃易燃气体都有一定的着火燃烧爆炸范围，即上限、

下限值。此范围越大的气体起爆炸燃烧危险性就越高，如B2H6的爆炸

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上限为98%，爆炸下限为0.9%。属于易燃气体有H2,NH3,PH3,DCS,ClF3

等等。

（2）毒性气体（ToxicGas）：半导体制造行业中使用的气体很多都是对

人体有害、有毒的。其中又以AsH3,B2H6,PH3等气体的毒性最大，它

们的阈限值TLV（ThresholdLimitedValve）分别只有50×10-9,100×10

-9,300×10-9。这些气体在工作环境中的允许浓度极微，因此在贮存、输

送以及使用的过程中都要求特别的小心。一般都应该采取特定的技术措

施来控制使用这些气体。NO,C4F6,C5F8,NF3,CH3F等都属于毒性气体。

（3）腐蚀性气体（CorrosiveGas）：这些腐蚀性气体通常同时也兼有较

强的毒性。腐蚀性气体在干燥状态下一般不易侵蚀金属，但在遇到水的

环境下就显示出很强的腐蚀性，如HCl,HF,PCl3,SiF4,ClF3，WF6等。

（4）惰性气体(InertGas)：隋性气体本身一般不会直接对人体产生伤害，

在气体传输过