半导体二极管及其基本电路课件.pptxVIP

半導體二極體及其基本電路

*2.1半導體的基本知識2.1.1半導體材料2.1.2半導體的共價鍵結構2.1.3本征半導體2.1.4雜質半導體半導體:導電特性介於導體和絕緣體之間典型的半導體有矽Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。導電的重要特點1、其能力容易受環境因素影響（溫度、光照等）2、摻雜可以顯著提高導電能力

*2.1.2半導體的共價鍵結構原子結構簡化模型—完全純淨、結構完整的半導體晶體。2.1.3本征半導體在T=0K和無外界激發時，沒有載流子，不導電兩個價電子的共價鍵正離子核

*2.1.3本征半導體、空穴及其導電作用溫度?光照自由電子空穴本征激發空穴——共價鍵中的空位空穴的移動——空穴的運動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現的。由熱激發或光照而產生自由電子和空穴對。溫度??載流子濃度?＋

**半導體導電特點1：其能力容易受溫度、光照等環境因素影響溫度↑→載流子濃度↑→導電能力↑

2.1.4雜質半導體N型半導體摻入五價雜質元素（如磷）P型半導體摻入三價雜質元素（如硼）自由電子＝多子空穴＝少子空穴＝多子自由電子＝少子由熱激發形成它主要由雜質原子提供空間電荷

*摻入雜質對本征半導體的導電性有很大的影響，一些典型的數據如下:T=300K室溫下,本征矽的電子和空穴濃度:n=p=1.4×1010/cm31本征矽的原子濃度:4.96×1022/cm33以上三個濃度基本上依次相差106/cm3。2摻雜後N型半導體中的自由電子濃度:n=5×1016/cm3雜質對半導體導電性的影響

*本征半導體、本征激發本節中的有關概念自由電子空穴N型半導體、施主雜質(5價)P型半導體、受主雜質(3價)多數載流子、少數載流子雜質半導體複合*半導體導電特點1： 其能力容易受溫度、光照等環境因素影響 溫度↑→載流子濃度↑→導電能力↑*半導體導電特點2：摻雜可以顯著提高導電能力

*2.2PN結的形成及特性2.2.1PN結的形成2.2.2PN結的單向導電性*2.2.3PN結的反向擊穿2.2.4PN結的電容效應

*2.2.1PN結的形成1.濃度差?多子的擴散運動2.擴散?空間電荷區?內電場3.內電場?少子的漂移運動?阻止多子的擴散4、擴散與漂移達到動態平衡載流子的運動：擴散運動——濃度差產生的載流子移動漂移運動——在電場作用下，載流子的移動P區N區擴散：空穴電子漂移：電子空穴形成過程可分成4步(動畫)內電場

*PN結形成的物理過程：因濃度差?空間電荷區形成內電場?內電場促使少子漂移?內電場阻止多子擴散最後,多子的擴散和少子的漂移達到動態平衡。多子的擴散運動?雜質離子形成空間電荷區?對於P型半導體和N型半導體結合面，離子薄層形成的空間電荷區稱為PN結。在空間電荷區，由於缺少多子，所以也稱耗盡層。擴散漂移否是寬

*2.2.2PN結的單向導電性只有在外加電壓時才…擴散與漂移的動態平衡將…定義：加正向電壓，簡稱正偏加反向電壓，簡稱反偏擴散漂移大的正向擴散電流（多子）低電阻?正嚮導通漂移擴散很小的反向漂移電流（少子）高電阻?反向截止

*2.2.2PN結的單向導電性?PN結特性描述2、PN結方程PN結的伏安特性陡峭?電阻小正嚮導通1、PN結的伏安特性特性平坦?反向截止一定的溫度條件下，由本征激發決定的少子濃度是一定的非線性其中IS——反向飽和電流VT——溫度的電壓當量且在常溫下（T=300K）近似估算正向：反向：

*2.2.3PN結的反向擊穿當PN結的反向電壓增加到一定數值時，反向電流突然快速增加，此現象稱為PN結的反向擊穿