半导体存储器课件.pptVIP

2．CPU的時序與記憶體存取速度之間的配合高速CPU與低速記憶體之間的速度如果不匹配，應在CPU訪問記憶體的週期內插入等待脈衝TW。3．記憶體結構的選定由於CPU的數據線有8、16、32、64位等幾類，相應記憶體的結構分為單體、2體、4體、8體等，記憶體結構的選定是指CPU與記憶體連接時，記憶體是單體結構還是多體結構。4．片選信號及行、列地址產生機制由於記憶體晶片的容量是有限的，微機中記憶體的總容量一般遠大於記憶體晶片的容量，因此，記憶體往往由多片記憶體晶片組成，在CPU與記憶體晶片之間必須設有片選擇解碼電路，一般由CPU的高位地址解碼產生片選，而低位地址送給記憶體晶片的地址輸入端，以提供存儲晶片內部的行、列地址。§6.5.2記憶體晶片的擴展存儲晶片存儲模組存儲體進行位擴展以實現按位元組編址的結構進行字擴展以滿足總容量的要求存儲體、地址解碼、數據緩衝和讀寫控制位擴展：因每個字的位數不夠而擴展數據輸出線的數目；字擴展：因總的字數不夠而擴展地址輸入線的數目，所以也稱為地址擴展；存儲晶片的位擴展⑧64K*1I/O⑦64K*1I/O⑥64K*1I/O⑤64K*1I/O④64K*1I/O③64K*1I/O②64K*1I/O①4K*1I/OD0D7…用4K×1bit的晶片擴展實現4KB記憶體進行位擴展時，模組中所有晶片的地址線和控制線互連形成整個模組的地址線和控制線，而各晶片的數據線並列（位線擴展）形成整個模組的數據線（8bit寬度）。A0~A11R/WCS等效為4K*8A0~A11D0~D7R/WCS如果記憶體的容量要求是4K×8bit，而我們只有靜態隨機存取記憶體2141（4K×1bit）滿足不了8位的字長要求，此時就需要8片2141進行位擴展，由1位擴展為8位來滿足要求。RAM2141=4K×1bit存儲晶片的字擴展用8K×8bit的晶片擴展實現64KB記憶體D0~D7⑧64K*1D0~7⑦64K*1D0~7⑥64K*1D0~7⑤64K*1D0~7④64K*1D0~7③64K*1D0~7②64K*1D0~7CS1①8K*8D0~7CS3-8譯碼器Y0Y1Y7………A13A14A15進行字擴展時，模組中所有晶片的地址線、控制線和數據線互連形成整個模組的低位地址線、控制線和數據線，CPU的高位地址線（擴展的字線）被用來解碼以形成對各個晶片的選擇線——片選線。A0~A12R/W64K*8A0~A15D0~D7R/WCS等效為如果記憶體的容量要求是16K×8bit，而我們只有只讀存取記憶體EPROM2764（8K×8bit）同樣滿足不了容量要求，此時就需要2片2764進行位擴展，由8K存儲單元擴展為16K存儲單元來滿足要求。EPROM2764=8K×8bit存儲晶片的字、位同時擴展用16K×4bit的晶片擴展實現64KB記憶體16K*416K*4D0~D3D4~D716K*416K*416K*416K*416K*416K*4首先對晶片分組進行位擴展，以實現按位元組編址；其次設計個晶片組的片選進行字擴展，以滿足容量要求；64K*8A0~A15D0~D7R/WCS等效為A0~A13R/W2－4解碼器A15A14CSSRAM2114=1K×4bit§6.2.2記憶體訪問週期的時序在選擇記憶體器件時，須考慮的最重要的參數是存取時間。從地址輸入穩定到數據輸出的最大時延大於從晶片片選有效到數據輸出的時延。所以前一個時延參數稱為存取時間。常用的MOSRAM的存取時間一般在15~500ns之間。由於記憶體晶片內部有支持電路，所以它們之間的連接是很方便的。但是記憶體晶片對輸入信號的時序要求卻是很嚴格的，而且各種記憶體晶片的時序要求也不相同。為確保正常工作，記憶體板上的控制邏輯提供的地址輸入和控制信號必須滿足該器件製造廠家所規定的時序參數。記憶體的讀操作與寫操作時序是不同的。SRAM6264數據讀出波形對於讀操作而言，輸出數據有效後不能立即改變地址輸入信號而開始另一次讀操作。這是因為在下一次記憶體操作之前，器件需要一定的時間來完成內部操作，這段時間叫作讀恢復時間。存取時間和讀恢復時間之和叫作記憶體讀週期時間。從一次讀操作的開頭到下一