半导体器件分解课件.pptVIP

第7章半导体器件本章要求：1.理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电流放大作用；2.了解二极管、稳压管和三极管的工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义；3.会分析二极管和三极管的电路。

☆对于元器件，重点放在特性、参数、技术指标和正确使用方法，不要过分追究其内部机理。讨论器件的目的在于应用。☆学会用工程分析方法，就是根据实际情况，对器件的数学模型和电路的工作条件进行合理的近似，以便用简便的分析方法获得具有实际意义的结果。1.对电路进行分析计算时，只要能满足技术指标，就不要过分追究精确的数值。2.元器件本身是非线性的，具有分散性，元器件的值有误差，工程上允许一定的误差。

7.1半导体的基本知识半导体的导电特性：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化(可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。为什么具有这些导电特性？

一、本征半导体（纯净半导体）常用的半导体材料：硅Si(Silicon)和锗Ge(Germanium)均为四价元素，原子最外层有4个价电子。SiSiSiSiSiSiSiSiSi价电子共价键单晶硅(Si)的原子结构平面示意图这种纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。

本征半导体的导电性：(1)在绝对零度(T=0K)时不导电，相当于绝缘体；SiSiSiSiSiSiSiSiSi自由电子(2)在室温下受热激发时，产生电子空穴对；(3)价电子依次填补空穴，进而产生了电子电流和空穴电流。空穴l半导体中有两种载流子：电子和空穴这就是半导体导电的重要特点。l半导体的导电性能受温度影响很大。温度(T)一定时，载流子数量一定。当T↑时，载流子数量↑。

二、杂质半导体---N型半导体和P型半导体1.N型半导体:掺入微量的五价元素：磷P(或锑)SiSiSiSiSiSiSiSiSi共价键?在室温下就可以激发成自由电子多数载流子为电子，少数载流子为空穴。

二、杂质半导体2.P型半导体:掺入微量的三价元素：硼B(或铝)SiSiSiSiSiSiSiSiSi受主原子共价键空位吸引邻近原子的价电子填充。多数载流子为空穴，少数载流子为电子。

综上所述：(1)本征半导体中加入五价杂质元素，便形成N型半导体。其中电子是多数载流子，空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。(2)本征半导体中加入三价杂质元素，便形成P型半导体。其中空穴是多数载流子，电子是少数载流子，此外还有不参加导电的负离子。(3)杂质半导体中，多子浓度决定于杂质浓度，少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。注意：无论N型还是P型半导体，对外都呈电中性。

练习题：1.在杂质半导体中多子的数量与a（a.掺杂浓度、b.温度）有关。b2.在杂质半导体中少子的数量与（a.掺杂浓度、b.温度）有关。3.当温度升高时，少子的数量c（a.减少、b.不变、c.增多）。4.在外加电压的作用下，P型半导体中的电流ab主要是，N型半导体中的电流主要是。（a.电子电流、b.空穴电流）

7.2半导体二极管管壳一、基本结构PN按材料分：硅(Si)管和锗(Ge)管；按工艺分：点接触型和面接触型；按用途分：整流管、稳压管、开关管等。阳极阴极铝合金小球阳极引线PN结金属触丝N型锗片N型硅金锑合金阳极引线阴极引线底座阴极引线外壳(a)点接触型(b)面接触型型号：2AP15符号：序号例如2CZ10,2CW18等。P:普通管二极管阳极D阴极A:N型GeB:P型GeC:N型SiD:P型SiZ:整流管W:稳压管材料极性类型(Diode)K:开关管

半导体二极管实物图片

二、伏安特性I正向特性：–P+–+NPN0?U?Ui=0TDU=0.5V(硅管)T反向击穿电压UB导通管压降U0.1V(锗管)DU?Ui急剧上升TDUU=0.7V(硅管D)反向特性：0.3V(锗管)死区电压UT︱U︱︱U︱Bi=I(反向饱和电流DS)︱U︱︱U︱另外,伏安特性与温度T有关，当T↑时,U↓,U↓,I↑。B反向电流急剧增大二极管被反向击穿TBR

二极管具有单向导电特性1.二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负）大于死区电压时，二极管处于导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。导通时管压降：硅0.7V；锗0.3V2.二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正）时，二极管处于截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。当反向电压大于反