吸收层与倍增层分离结构的4H-SiC雪崩光电探测器的优化模拟的开题报告.pdfVIP

吸收层与倍增层分离结构的4H-SiC雪崩光电探测器

的优化模拟的开题报告

1.研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，对高性能光电探测器的需求不断增加。

4H-SiC是一种优秀的光电材料，具有较高的载流子迁移率、较小的泄漏

电流和优异的热稳定性等特点，因此被广泛应用于高功率和高温度光电

器件中。其中，雪崩光电探测器（APD）具有高灵敏度、低噪声、高增益

等优点，在光通信、激光雷达、医疗等领域有着广泛的应用前景。

近年来，研究人员发现，将4H-SiC的吸收层与倍增层分离结构，可

以大幅度提高4H-SiCAPD的性能。吸收层与倍增层分离结构可以有效减

小载流子注入浓度，提高器件的增益和探测效率，同时解决由于载流子

注入引起的击穿电压降低和噪声增大等问题，可以达到更佳的光电性能。

因此，对吸收层与倍增层分离结构的4H-SiCAPD进行优化模拟，具有重

要的意义与应用前景。

2.研究内容与方法

本文针对吸收层与倍增层分离结构的4H-SiCAPD进行研究。首先，

对器件结构进行建模，利用SilvacoTCAD软件进行模拟和优化。其次，

对各项关键参数进行分析，包括载流子噪声、击穿电压、增益、响应速

度等，建立相关评价指标体系。最后，利用优化算法对器件结构进行优

化，得到最优的器件参数组合，从而提高器件的性能。

3.研究计划

第一年：建立4H-SiCAPD的吸收层与倍增层分离结构的TCAD模型，

分析各项关键参数；

第二年：建立APD性能评价指标体系，利用多因素优化算法对器件

结构进行优化；

第三年：对优化结果进行仿真验证，进一步优化器件性能。

4.预期结果与意义

本文将对吸收层与倍增层分离结构的4H-SiCAPD进行深入研究和优

化，得到最优的器件参数组合。这将具有重要的理论和应用价值。一方

面，本研究可为高性能光电探测器的设计提供重要理论依据，另一方面，

优化所得的器件参数组合可以应用于具体的工程实践中，提高光电器件

的性能。