CeF3g-C3N4复合光催化材料的制备及其光催化性能.docx

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SummarySiCbasedcompositematerialswithgC3N4复合structurehavebeenpreparedandstudiedfortheir光电activityunderUVilluminationTheefficiencyofgC3N4degradationagainstinorganicpollutantswasfoundtobesignificantlyhighercompared

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CeF3/g-C3N4复合光催化材料的制备及其光催化性能

摘要

半导体光催化技术可以对太阳能进行高效利用和开发,被人类认为是当前缓解能源紧缺和环境危机最有希望的技术之一。绿色无污染、能耗低、廉价经济等都是它的优点,传统的光催化技术的研究主要集中在紫外光的催化上,仅占光谱能量的百分之五,所以说光催化的发展技术是解决太阳能利用问题的关键。在光的照射下,如果半导体材料的带隙能量小于入射光子的能量,则半导体材料的价带电子会被激发到传导带,光生电子空穴对会在半导体上面生成。这些光生电子空穴对会加快反应速率,使污染物得到降解。近年来,石墨碳氮化物(g-C3N4)作

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