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分子印迹电化学传感器的制备及性能研究
摘要
本文制备了一种对铅离子(Pb2+)具有高灵敏度，选择性的离子印迹电化学传感器。将还原氧化石墨烯银纳米复合材料(rGO/AgNPs)作为增敏剂，修饰在玻碳电极表面。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)对增敏材料进行了分析表征。以吡咯(Py)为功能单体，采用电聚合法在已修饰的电极表面制备离子印迹膜(rGO/AgNPs/IIP-GCE)。利用差分脉冲伏安法(DPV)、电化学阻抗谱(EIS)和循环伏安法(CV)对印迹电化学传感器进行性能表征。结果表明，该传感器在5.0×10-
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