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IGBT在离子注入机中的应用问题--第1页
IGBT在离子注入机中的应用问题
的应用问题
蔡先武田小海中国电子科技集团公司第四十八研究所410
奉文蛄合强流艇离子注几机中电源实制,对
绝肄栅双垭晶l傩菅(18日T)的特性,短路
安全工作区,橱挺驱毒I和可靠保护舟剥进行
了论述提出了一种完善的栅枉骚动和雄护
方案
强流氧离子往九机;JGBT{s0I{scsOA
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1.唁
SOl(SiliconOnInsu[ator)材掌斗
用-j:制造高速,高集成度,高温低压,
低功耗和抗辐照器件,突破了体硅及其
集成电路的限制.破称为一:十一世纪
的硅集成电路技术作为soI材料主流
制备方法,注氧隔离(SIMOx)技术
需太剂量氧离子【1.3—2.0×【Ol8ion/
IGBT在离子注入机中的应用问题--第1页
IGBT在离子注入机中的应用问题--第2页
cm2)高温往人,持续十儿甚至几十个小时
的注人时间,对离注入机的可靠性提
出越来越高的要求特}川足强流离子注
人中,吸极,加速电源,输出高电压,
大电流.经常还处于负载短路,高压打
火等恶劣j二作状况,这要求电源本身必
须可靠,耐冲击强流氧离子注入机众
多电源如:吸楹,加速电源,加热电
源,微漱磁控管电源.靶室电机电源,
均采用IGBT功率器件.在开关电源,以
及要求快速.低损耗的领域.IGBT有取
代MOSFET和GTR的趋势.这样.分
析』GB下特性.设计优良的驱动和保护电
路显得尤为重要
2IGBT特r陛
IGB1的等效电路,如图I所示.
由图la可以看出[GBT是一种投机理
复合器件J(DouleMechanismDice),集
MOSFET和GTR优点干一身.既具有输
人阻抗高,速度快,热稳定性好,且驱
动电路简单,驱动电流小等特点,义具
有通态压降小.峰值电流容量可达约额
G———_J
定值l0倍等优点图b适合短路情况分析
用,
3.短路安全工作区(SCSOA)[:I
强流氧离子注人机中,开关电源均
要求所用的开关器件可经受得住系统输
出的短路而无损伤,IGBT的短路承受能
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力,考虑了如下两种情况:
1)IG
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