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《半导体光电学》课后习题
第一章半导体中光子电子的相互作用
-
思考与习题
1、在半导体中有哪几种与光有关的跃迁,利用这些光跃迁可制造出哪些类型的
半导体光电子学期间。
2、为什么半导体锗、硅不能用作为半导体激光器的有源介质,面却是常用的光
探测器材料?
3、用量子力学理论证明直接带隙跃迁与间接带隙跃迁半导体相比其跃迁几率大。
、什么叫跃迁的选择定则?它对电子在能带间的跃迁速率产生什么影响?
4K
5、影响光跃迁速率的因素有哪些?
、推导伯纳德杜拉福格条件,并说明其物理意义。
6-
7、比较求电子态密度与光子态密度的方法与步骤的异同点。
8、在半导体中重掺杂对能带结构、电子态密度、带隙、跃迁几率等带来什么影
响?
9、什么叫俄歇复合?俄歇复合速率与哪些因素有关?为什么在GaInAsP/InP等长
波长激光器中,俄歇复合是影响其阀值电流密度、温度稳定性与可靠性的重要原
因?
、比较严格选择定则与其受到松弛情况下增益电流特性的区别。
10k-
11、带尾的存在对半导体有源介质增益特性产生哪些影响?
、证明式()。
121.7-20
13、说明图1.7-5和图1.7-6所依据的设有何不同?并说明它们各自的局限性。
第二章异质结
思考与习题
1、什么是半导体异质结?异质结在半导体光电子器件中有哪些作用?
、若异质结由型(E,,)和型半导体(E,,)结构,并有
2n∅χϕP∅2χϕ
22
EE,χ,ϕ,试画出能带图。
∅∅2χ2ϕ2n
3、同型异质结的空间电荷区是怎么形成的?它与异质结的空间电荷形成机理有
何区别?
、推导出异质结结电容C与所加正向偏压的关系,C的大小时半导体光电子
4njj
器件的应用产生什么影响?
5、用弗伽定律计算GaAlAs半导体当x=0.4时的晶格常数,并求出GaA的
−xx
晶格失配率。
、探讨在衬底上生异质结的可能性。
6SiGaA
7、用GaAlAs半导体作为激射波长为0.78μm可且光激光器的有源材料,计算
−xx
其中AlA的含量。
、由经验得出,当y=2.16(−x)时InGaAsP能与InP很好的晶格匹配,
8,x−xy−y
试求出激射擅长为.3m时的,值
μxy.
9、为了减少载流子激光器有源区中泄漏,能否无限制地增加异质结势垒高度,
为什么?
、如取有源层与限制层带隙差∆R=0.25∼0.45eV相对折射率nnn为有
10f,/2(2
源层
的折射率为3∼7%,试设计=0.78m的可见光半导体激光器,即求出有源层
)λμ
GaAlAs和限制层GaAlAs的合理组分.
−xx−yy
第三章平板介质光波导理论
思考与习题
1、论述光波导致应在异质结激光器中的作用,在垂直于异质结平而方向上的光
波导是怎样形成的?
2、要想在激射波长为1.3um的双异质结激光器中得到基横模。已知中心层折射
率为
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