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介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能

研究的开题报告

1.研究背景及意义

GaN材料在高功率半导体器件、蓝光发光器件、光电传感器等领域

具有十分广泛的应用前景，在这些应用领域中，如何提高GaN的性能和

稳定性是一个重要议题。通过在GaN表面生长介电氧化物薄膜可以提高

其表面稳定性，并且对GaN的性能有一定的影响。因此，研究介电氧化

物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能具有科学意义和应用价值。

2.研究目的

本文旨在研究介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长性能，通

过对不同工艺参数的调节，实现介电氧化物薄膜的优化。同时，研究介

电氧化物薄膜对GaN半导体电学特性的影响，探究介电氧化物薄膜在提

高GaN表面稳定性和性能方面的应用前景。

3.研究内容和方法

本文将采用分子束外延（MBE）方法生长介电氧化物薄膜在GaN半

导体表面。通过调节生长温度、生长压力等工艺参数，研究介电氧化物

薄膜的生长机理和生长性能。利用激光扫描显微镜、原子力显微镜等手

段对介电氧化物薄膜的表面形貌和结构进行表征分析。同时，采用电学

测试方法验证介电氧化物薄膜对GaN半导体的电学性能影响，如电容-电

压测试等。

4.研究预期结果

通过对介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能研究，预

计可以得出以下结论：

（1）研究介电氧化物薄膜的生长机理和生长性能。

（2）探究介电氧化物薄膜对GaN半导体电学特性的影响，揭示介

电氧化物薄膜在提高GaN表面稳定性和性能方面的应用潜力。

（3）提出优化介电氧化物薄膜生长工艺的建议，为实现介电氧化物

薄膜在GaN半导体上的应用提供指导。

5.研究意义

研究介电氧化物薄膜在GaN半导体上的外延生长与性能，可以为高

功率半导体器件、蓝光发光器件、光电传感器等领域的应用提供一种新

的可行方案，同时也可以丰富和完善介电薄膜和半导体材料的相关研究

领域。