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AGM03N85H
●GeneralDescription
TheAGM03N85HcombinesadvancedtrenchProductSummary
MOSFETtechnologywithalowresistancepackageto
provideextremelylowRDS(ON).
BVDSSRDSONID
Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery
85V2.8mΩ140A
protectionapplications.
●Featuresnfi
TO-263PinCoguration
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■100%Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
mtion
egInfora
adOrdrin
aarkingn
PackgeM
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM03N85HAGM03N85HTO-263330mm25mm800
axiTA25)
eMmumRatins(
Table1.Absolutg℃
ybolarameteraluenit
SmPVU
VDSDrain-SourceVolt(V
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