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AP30N06PIT
60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP30N06DFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=60VI30A
DSD
RDS(ON)36mΩ@VGS=10V（Type：28mΩ）
Application
LEDlamp
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP30N06PTO-220-3LAP30N06PXXXYYYY1000
AP30N06TTO-263-3LAP30N06TXXXYYYY800
o
AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)
j
SymbolParameterMax.Units
VDSSDrain-SourceVoltage60V
VGSSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V130A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V116A
DC
IDMPulsedDrainCurrent74A
I
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