AP20G02DF深圳恒锐丰科技+20A+20V+N+P+PDFN3x3-8L.pdf

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AP20G02DF

20VN+P-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP20G02DFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=20VI25A

DSD

RDS(ON)10mΩ@VGS4.5V（Type：8.0mΩ）

V=-20VI-20A

DSD

RDS(ON)20mΩ@VGS-4.5V（Type：16mΩ）

Application

Wirelesscharging

Brushlessmotor

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP20G02DFPDFN3*3-8LAP20G02DFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterN-ChP-ChUnits

VDSDrain-SourceVoltage20-20V

VGSGate-SourceVoltage±12±12V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V25-20A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V17.4-15.5A

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