AP2N7002DW深圳恒锐丰科技+0.3A+60V+SOT363-6L.pdf

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AP2N7002DW

60VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP2N7002DWusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=60VI=0.3A

DSD

RDS(ON)2100mΩ@VGS=10V（Type：1600mΩ）

ESD=2KVHBM

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP2N7002DWSOT363-6LK723000

AbsoluteMaximumRatings@T=25C(unlessotherwisespecified)

SymbolParameterMax.Units

VDSSDrain-SourceVoltage60V

VGSSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V10.3A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V10.15A

IDMPulsedDrainCurrent1A

P@T=25℃PowerDissipation0.38W

专注MOS

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