HFN60P03深圳恒锐丰科技+P+30V+MOS+PDFN3×3.pdf

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HFN60P03

P-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

Description

TheHFN60P03isthehighcelldensitytrenchedP-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON

andgatechargeformostofthesynchronousbuckconverterapplications.

TheHFN60P03meettheRoHSandGreenProductrequirement,100%EASguaranteedwithfull

functionreliabilityapproved.

Features

SuperLowGateChargeExcellentCdV/dteffectdecline

100%EASGuaranteedAdvancedhighcelldensityTrenchtechnology

GreenDeviceAvailable

ProductSummary

BVDSSRDSONID

-30V7.5mΩ-55A

PRPAK3X3PinConfiguration

第页共页深圳市黑锋科技有限公司

HFN60P03

P-Ch30VFastSwitchingMOSFETS

ElectricalCharacteristics

TJ25°C,unlessotherwisenoted

ParameterSymbolTestConditionsMin.Typ.Max.Unit

StaticCharacteristics

Drain-SourceBreakdownVoltageV(BR)DSSVGS0V,ID-250µA-30--V

Gate-bodyLeakagecurrentlGSSVDS0V,VGS±20V--±100nA

TJ25℃---1

ZeroGateVoltageDrain

IDSSVDS-30V,VGS0VμA

Current

TJ100℃-

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