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半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第1页
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号CN1264494A
(43)申请公布日2000.08.23
(21)申请号C7
(22)申请日1998.07.15
(71)申请人株式会社日立制作所
地址日本东京都
(72)发明人渡部隆好志仪英孝春日部进森照亨
(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司
代理人杨凯
(51)Int.CI
H01L21/60
H01L21/3205
权利要求说明书说明书幅图
(54)发明名称
半导体装置、其安装结构体及其制
造方法
(57)摘要
为了提供一种在与基板连接时不发
生导通不良并能容易地进行高密度安装且
能实现低成本的半导体装置、其安装结构
体及其制造方法,本发明的特征在于:将角锥
形状的凸起电极接合到配置在半导体芯片
上的各焊区电极上而构成。
半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第1页
半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第2页
法律状态
法律状态公告日法律状态信息法律状态
半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第2页
半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第3页
权利要求说明书
1.一种半导体装置，其特征在于：
将多个角锥形状的凸起电极的每一个接合到配置在半导体芯片上的各焊区电极上而
构成。
2.一种半导体装置，其特征在于：
将多个角锥形状的凸起电极的每一个通过各向异性导电膜接合到配置在半导体芯片
上的各焊区电极上而构成。
3.一种半导体装置，其特征在于：
将多个角锥形状的凸起电极的每一个利用热压接接合到配置在半导体芯片上的各焊
区电极上而构成。
4.一种半导体装置，其特征在于：
将多个角锥形状的凸起电极的每一个利用热压接进行合金化接合到配置在半导体芯
片上的各焊区电极上而构成。
半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第3页
半导体装置、其安装结构体及其制造方法--第4页
5.一种半导体装置，其特征在于：
将多个角锥形状的凸起电极的每一个接合到与配置在半导体芯片上的各焊区电极导
电性地连接的再布线金属部上而构成。
6.如权利要求1至5的任一项中所述的半导体装置，其特征在于：
用硬质的Ni来构成上述各凸起电极的母体材料。
7.如权利要求1至5的任一项中所述的半导体装置，其特征在于：
用软质的Cu来构成上述各凸起电极的母体材料。
8.一种半导体装置的安装结构体，其特征在于：
关于将多个角锥形状的凸起电极的每一个接合到配置在半导体芯片上的各焊区电极
上而构成的半导体装置，将上述各凸起电极接合到在基板上形成的各端子上来安装。
9.一种半导体装置的安装结构体，其特征在于：
关于将多个角锥形状的凸起电极的每一个通过各向异性导电膜接合到配置在半导体
芯片上的各焊区电极上而构成的半导体装置，将上述各凸起电极接合到在基板上形
半导体装置、其安装结构体及其制
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