非平衡载流子 (2).ppt

(2)光激发载流子的衰减均匀掺杂的N型半导体，光均匀照在半导体上，其内部均匀地产生非子，没有电场，内部也没有其它产生，求光照停止后的衰减方程。●均匀掺杂，均匀光照：第127页,共134页，星期六，2024年，5月●无电场：E=0●内部无其它产生：gp=0t=0，停止光照，?p(0)=?p0，?A=?p0非平衡载流子衰减时遵守的规律第128页,共134页，星期六，2024年，5月(3)扩散方程光照均匀掺杂的N型半导体，无电场，无其它产生时的稳态方程。E=0，gp=0，稳态均匀掺杂：(p=p0+?p)第129页,共134页，星期六，2024年，5月稳定扩散情况下非平衡少子所遵循的扩散方程第130页,共134页，星期六，2024年，5月第五章非平衡载流子一、非平衡载流子的产生、平均寿命、平均扩散长度及浓度的计算二、非平衡载流子的复合1.直接复合：小注入时，非子寿命决定于多子浓度大注入时，非子寿命决定于注入。2.间接复合：小注入时非子寿命决定于少子寿命第131页,共134页，星期六，2024年，5月小注入的N型材料小注入的P型材料大注入时：第132页,共134页，星期六，2024年，5月3.有效复合中心：Et=Ei三、陷阱效应1.有效陷阱：2.电子陷阱是存在于P型材料中空穴陷阱是存在于N型材料中四、非平衡载流子的运动1.载流子的扩散电流和漂移电流2.爱因斯坦关系第133页,共134页，星期六，2024年，5月感谢大家观看第134页,共134页，星期六，2024年，5月x△p0Lp第95页,共134页，星期六，2024年，5月↑↑↑表面处的空穴扩散流密度向内扩散的空穴流的大小如同表面的空穴以Dp/Lp的速度向内运动一样。第96页,共134页，星期六，2024年，5月w注入抽出无复合，另一端将非子全部引出第97页,共134页，星期六，2024年，5月第98页,共134页，星期六，2024年，5月x△p0w常数非平衡载流子在样品中没有复合第99页,共134页，星期六，2024年，5月3．非平衡载流子的扩散电流密度空穴扩散电流密度电子扩散电流密度第100页,共134页，星期六，2024年，5月(Jp)扩→(Jn)扩←二、载流子的扩散和漂移运动N型材料,在x方向方向加光照、电场(Jp)漂→(Jn)漂→x,E第101页,共134页，星期六，2024年，5月1．少子空穴电流非平衡少子扩散电流：+x方向非平衡空穴和平衡空穴形成的漂移电流：+x方向少子电流密度：第102页,共134页，星期六，2024年，5月2．多子电流密度非平衡多子形成的扩散电流：-x方向平衡多子与非平衡多子的漂移电流：+x方向第103页,共134页，星期六，2024年，5月?多子电流密度：3．总的电流密度J=Jp+Jn第104页,共134页，星期六，2024年，5月三、爱因斯坦关系非简并情况下载流子迁移率和扩散系数关系迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度扩散系数：反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度第105页,共134页，星期六，2024年，5月考虑一块处于热平衡状态的非均匀的N型半导体，其中施主杂质浓度随x增加而下降，电子浓度为no(x)第106页,共134页，星期六，2024年，5月电子扩散电流密度：漂移电流：平衡时电子的总电流等于0Jn=(Jn)漂+(Jn)扩=0第107页,共134页，星期六，2024年，5月导带底的能量应为Ec－qV(x)，－qV(x)：附加的静电势能第108页,共134页，星期六，2024年，5月第109页,共134页，星期六，2024年，5月对于空穴：室温时：KT=0.026eVSi中：?n=1350cm2/vs第110页,共134页，星期六，2024年，5月总电流密度：第111页,共134页，星期六，2024年，5月1．少子电流连续性方程的一般形式影响因素主要有：●由于电流的流通（载流子的扩散和漂移运动），从而使体内的载流子?。●由于载流子复合使非子浓度?。●由于内部有其它产生，使载流子?。四、电流连续性方程第112页,共134页，星期六，2024年，5月以N型半导