第3章-逻辑门电路.ppt

高电平和低电平的含义本章小结1．最简单的门电路是二极管与门、或门和三极管非门。它们是集成逻辑门电路的基础。2．目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，一类由NPN型三极管组成，简称TTL集成电路；另一类由MOSFET构成，简称MOS集成电路。3．TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用达林顿结构，这不仅提高了门电路的开关速度，也使电路有较强的驱动负载的能力。在TTL系列中，除了有实现各种基本逻辑功能的门电路以外，还有集电极开路门和三态门。4．MOS集成电路常用的是两种结构。一种是NMOS门电路，另一类是CMOS门电路。与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大，噪声容限大，开关速度与TTL接近，已成为数字集成电路的发展方向。5．为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和MOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数，还应能正确处理多余输入端，能正确解决不同类型电路间的接口问题及抗干扰问题。2.与或非门+VY1231231312312313DB21A1BBRCC24RTRT1B1ATTT2B2AR332A1TR41A3.三态门E—控制端+5VYR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABDE一、结构+5VYR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABDE二、工作原理(1)控制端E=0时的工作情况：01截止+5VYR4R2R13kT2R5R3T3T4T1T5b1c1ABDE(2)控制端E=1时的工作情况10导通截止截止高阻态三态门在计算机总线结构中有着广泛的应用。（a）组成单向总线——实现信号的分时单向传送。（b）组成双向总线，实现信号的分时双向传送。三、三态门的应用1．逻辑关系：（设VDD＞（VTN+|VTP|），且VTN=|VTP|）（1）当Vi=0V时，TN截止，TP导通。输出VO≈VDD。（2）当Vi=VDD时，TN导通，TP截止，输出VO≈0V。3.4.1CMOS反相器CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成。3.4CMOS集成逻辑门电路（1）当Vi＜2V，TN截止，TP导通，Vo≈VDD=10V。2．电压传输特性：CMOS门电路的阈值电压Vth=VDD/2（设:VDD=10V，VTN=|VTP|=2V）（2）当2V＜Vi＜5V，TN工作在饱和区，TP工作在可变电阻区。（3）当Vi=5V，两管都工作在饱和区，Vo=（VDD/2）=5V。（4）当5V＜Vi＜8V，TP工作在饱和区，TN工作在可变电阻区。（5）当Vi＞8V，TP截止，TN导通，Vo=0V。3．工作速度由于CMOS非门电路工作时总有一个管子导通，所以当带电容负载时，给电容充电和放电都比较快。CMOS非门的平均传输延迟时间约为10ns。（2）或非门3.4.2其他的CMOS门电路1．CMOS与非门和或非门电路（1）与非门YVABDDTP1TN1TN2P2TYVABP1TDDTN2P2TN1T1．CMOS逻辑门电路的系列（1）基本的CMOS——4000系列。（2）高速的CMOS——HC系列。（3）与TTL兼容的高速CMOS——HCT系列。2．CMOS逻辑门电路主要参数的特点（1）VOH（min）=0.9VDD；VOL（max）=0.01VDD。所以CMOS门电路的逻辑摆幅（即高低电平之差）较大。（2）阈值电压Vth约为VDD/2。（3）CMOS非门的关门电平VOFF为0.45VDD，开门电平VON为0.55VDD。因此，其高、低电平噪声容限均达0.45VDD。（4）CMOS电路的功耗很小，一般小于1mW/门；（5）因CMOS电路有极高的输入阻抗，故其扇出系数很大，可达50。3.4.4CMOS逻辑门电路的特点与系列3.CMOS逻辑电路的特点(与TTL门比较)(1)工作速度比TTL稍低。(2)输入阻抗高，可达108Ω。(3)扇出系数NO大。(4)静态功耗小。(5)集成度高。(6)电源电压允许