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电池片各工序影响因素及异常情况

一、一次清洗影响因素：

1、温度：

温度过高，首先就是IPA（异丙醇）不好控制，温度一高，IPA的挥发很快，

气泡印就会随之出现，这样就大大减少了PN结的有效面积，反应加剧,还会出现

片子的漂浮，造成碎片率的增加。可控程度：调节机器的设置，可以很好的调节

温度。

2、时间：

金字塔随时间的变化：金字塔逐渐冒出来；表面上基本被小金字塔覆盖，少

数开始成长；金字塔密布的绒面已经形成，只是大小不均匀，反射率也降到比较

低的情况；金字塔向外扩张兼并，体积逐渐膨胀，尺寸趋于均等，反射率略有下

降。可控程度：调节设备参数，可以精确的调节时间。

3、IPA：

1）、协助氢气的释放。2）、减弱NaOH溶液对硅片的腐蚀力度，调节各向因

子。纯NaOH溶液在高温下对原子排列比较稀疏的100晶面和比较致密的111晶

面破坏比较大，各个晶面被腐蚀而消融，IPA明显减弱NaOH的腐蚀强度，增加

了腐蚀的各向异性，有利于金字塔的成形。乙醇含量过高，碱溶液对硅溶液腐蚀

能力变得很弱，各向异性因子又趋于1。可控程度：根据首次配液的含量，及每

次大约消耗的量，来补充一定量的液体，控制精度不高。

4、NaOH：

形成金字塔绒面。NaOH浓度越高，金字塔体积越小，反应初期，金字塔成

核密度近似不受NaOH浓度影响，碱溶液的腐蚀性随NaOH浓度变化比较显著，浓

度高的NaOH溶液与硅反映的速度加快，再反应一段时间后，金字塔体积更大。

NaOH浓度超过一定界限时，各向异性因子变小，绒面会越来越差，类似于抛光。

可控程度：与IPA类似，控制精度不高。

5、NaSiO

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SI和NaOH反应生产的NaSiO和加入的NaSiO能起到缓冲剂的作用，使反

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应不至于很剧烈,变的平缓。NaSiO使反应有了更多的起点，生长出的金字塔更

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均匀，更小一点NaSiO多的时候要及时的排掉，NaSiO导热性差，会影响反应,

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溶液的粘稠度也增加，容易形成水纹、花蓝印和表面斑点。可控程度：很难控制。

4#酸洗HCL去除硅片表面的金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能

与多种金属离子形成可溶与水的络合物。6#酸洗HF去除硅片表面氧化层，

SiO+6HF=H[siF]+2HO。

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控制点：

1、减薄量：

定义：硅片制绒前后的前后重量差。控制范围单晶125，硅片厚度在200±

25微米以上，减薄量在0.5±0.2g；硅片厚度在200±25微米以上，减薄量在

0.4±0.2g。单晶156，首篮减薄量在0.7±0.2g；以后减薄量在0.6±0.2g。

2、绒面：

判断标准：成核密度高，大小适当，均匀。控制范围：单晶：金字塔尺寸

3~10um。

3、外观：

无缺口，斑点，裂纹，切割线，划痕，凹坑，有无白斑，赃污。

异常处理：

问题原因解决方法

1.首先判断原因。

1.NaOH含量偏低，不能充

2.增加NaOH的浓度，减少IPA的

分进行反应，或者IPA含量

用量。

硅片表面大部分发过高，抑止反应进行。

3.如果不能调节，重新配制溶液。

白，发白区域未出

2.如果表现后续返工可以

绒面

处理发白区域，则可以断定采用稀碱超声。