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行波半导体激光放大器

涝淀

l992年3月

第8卷第2期

苦,,傩,亏

信科学Vd.8N02

March1992

行波半导体激光放大器

黄德修

r——一

1『『

述行波半导体激光放大器(Tw—sLA)的基本原理,结构和性能,对它

在光纤通信中的

前景作了较垒面的分析.

以光子与电子相互作用,光能与电能相互转换为基本内容的光电子

学比微电子学的发屉

进程尽管落后20年,但它在信息的产生,传输,存储和处理上已显示

出和微电子学同样巨大的

生命力和极为相似的发展趋势,如图1所示.很明显,对微弱光信号的

放大,必将成为光电子学

中一个极为重要的内容,将对信息的产生,传输与处理产生大的影响.

因此,光放大器已成为

图l光电子学与赦电子学的类比用SLA直接放大外来光信号的设想,

虽然早在半导体激光器闻世不久就已提出和在实验上进行过一些

探索,先后研究了几种类型

的sLA,但直到8o年代初才认识到行波半导体激光放大器(Tw—sLA)

是一种较理想的线性

放大器.

一

些工业发达国家的研究机构都对Tw—sLA器件本身及其在光纤通

信系统中的应用

作了大量的研究.在我国,华中理工大学和武汉邮电科学院台作,于

1983年率先在国内开展了

这方面的研究此后,在国家科技攻关和863”计划的积极支持下,又有

其它单位进入这一研

究行列在这短短的11年中,国内外发展了多种Tw--SLA结构;数以百

计的论文报导了

Tw～sLA器件与应用的研究成果1985年BTRL最先将Tw—sLA器

件化,研究出具有完

整封装结构的器件.1988年英国BTamp;D公司在国际上最先推出

Tw—sLA的系列产品,标志

着Tw—sLA已开始走向实用化.

3论撮贼述冁枷概

第2期黄德修:行波半导体激光放大器

2Tw—sLA的工作原理与结构

SLA与半导体激光器(LD)同样是通过电

注入(即注入载流子),使其有源介质具有增益

特性而能对光子进行放大.所不同的是,SLA

放大的是外来光子或光信号,而LD是对增益

介质内部电子与空穴复合所产生的光子进行谐

振放大.如图2所示.事实上,如将LD偏置在

闲值以下,就可构成对外来光信号进行放大的

法布里一珀罗型SLA(FP--SIA);若将LD偏

置在阚值以上,就可将输入的微弱单模光信号

锁定到多模LD的某一模式上而得到高的单模

输出,即构成注入锁定型SLA(IL—SLA).

Tw--SLA实质上是将LD的谐振腔面增透或

磨成一定斜角而得到的.外来光信号在Tw—

SLA中获得的是如下式所表示的单程增益:

G一exp[(工1g一口)L](1)

式中r为有源层的光场限制因子,工为增益区

的长度,at.和g分别为有源层内部的损耗系数

与增益系数.在线性近似下,g可以表示为:

g~a(N--N)(2)

式中a为与材料有关的增益常数,Ⅳ为注入有

源层的载流子浓度,Ⅳ为开始出现净增益的载

流子浓度或透明载流子浓度.对于直接带隙迁

的半导体(如通常用的GaAIAs,InGaAsP等),

通过注入电子能获得比其它气体,固体等激光

工作物质高几个数量级的增益系数(50～

100cm一).

TW--SLA除了上述单程增益结构外[图

3(a)],华中理工大学.,日本OKI公司在近

年来还发展了双程增益结构,分别示于图3(a)

与(c).

通常的单程增益Tw—sLA是将LD芯片

两解理面进行理想的增透,使芯片长度

与凸台宽度一致;两次技术难度大的超低剩余反射率增透和两次光

纤耦合(分别耦合输入与输

出)给工艺上带来很大的复杂性和难度.图3(b)所示的结构是将LD

的前端面增透(Rlt;

10-4),后端面增反(Rgt;O.9)光信号从光学环行器的A端口输入和

从它的B端口输出,从B

38.电信科学1992年

端输出的光经光纤耦合至TwSIA芯片的前端面.进入芯片有源层的

光信号在获得单程增

益后由后端面反射回有源层.再一次获得单程增益的光信号仍从芯

片的前端面经同一根光纤

返回至光环行器的B端口,由于光环行器的非互易陛原理.进入B