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NCE3N170F
N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
GeneralDescription
TheseriesofPowerMOSFETsuseadvancedVDSmin@Tjmax1850V
technologyanddesign.ThishighvoltageMOSFETfitsRDS(ON)TYP6Ω
Switchedapplications.ID2.9A
Qg33nC
Features
●Highspeedswitching
●IntrinsiccapacitancesandQgminimized
●100%AvalancheTested
Application
●Switchedapplications
Schematicdiagram
PackageMarkingAndOrderingInformation
DeviceDevicePackageMarking
NCE3N170FTO-220FNCE3N170F
TO-220F
Table1.AbsoluteMaximumRatings(T25)
J℃
ParameterSymbolValueUnit
Drain-SourceVoltage(VGS0V）VDS1700V
Gate-SourceVoltage(VDS0V)DCVGS±30V
ContinuousDrainCurrentatTc25°CID(DC)2.9A
ContinuousDrainCurrentatTc100°CID(DC)2.03A
Pulseddraincurrent(Note1)IDM(pluse)8.7A
MaximumPowerDissipation(Tc25°C)PD
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