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NCE603583
NCENP-ChannelcomplementaryPowerMOSFET
Description
TheNCE603583usesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.It
canbeusedinawidevarietyofapplications.
GeneralFeatures
NchannelSchematicdiagram
●V60V,I40A
DSD
RDS(ON)15.5mΩ@VGS10V
RDS(ON)22mΩ@VGS4.5V
pchannel
●V-60V,I-35A
DSD
RDS(ON)35mΩ@VGS-10V
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEASMarkingandpinassignment
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
●SpecialprocesstechnologyforhighESDcapability
Application100%UISTESTED!
●H-bridge100%ΔVdsTESTED!
●Inverters
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
JC603583NCE603583TO-252-4L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolN-ChannelP-ChannelUnit
Drain-SourceVoltageVDS60-60V
Gate-SourceVoltageVGS±20±20V
T25℃40-35
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