cmos器件原理与应用.pptVIP

CMOS器件组员:xxxxxxxx

报告内容背景介绍根本原理根本流程现有应用

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选题背景1.CMOS图像传感器；2.组员情况。xx激光技术xx光电技术xx光学测量组内分工:xx:CMOS的原理xx:CMOS的应用xx:CMOS的未来

报告内容背景介绍根本原理根本流程现有应用

CMOS的产生CMOS英文全名ComplementaryMetal-OxideSemiconductor,互补性氧化金属半导体每个CMOS单元都可以看作是一个光电二极管。无数个CMOS单元加上处理线路构成CMOS图像传感器。1969年,贝尔实验室创造CCD1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功,80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件.

开展历程CMOS图像传感器能够快速开展一是基于CMOS技术的成熟,二是得益于固体图像传感器技术的研究成果。1967年以前报道的图像传感器都产生与瞬间入射光强成比例的信号,不能输出任何有意义的积分光生信号,灵敏度低,像元内需要有信号增益。[1-3]1967年,Weckler提出了以光子通量积分模式工作的p-n结,并提出了采用PMOS开关读出积分电荷的方法。[4]1968年,Noble报道了首次用于像元内信号读出缓冲的MOS源跟随晶体管。[5]70年代和80年代,人们热衷于开展CCD,仅有日立、三菱等几个研究机构从事MOS图像传感器的研究。1970年,CMOS图像传感器在NASA的喷气推进实验室JPL制造成功;80年代末,英国爱丁堡大学成功试制出了世界第一块单片CMOS型图像传感器件90年代以来,英国爱丁堡VLSIversion公司首次将CMOS商品化,喷气推进实验室(JPL)研究开发的高性能CMOS图像传感器；此后CMOS图像传感器的性能逐步得到提升。

开展历程到目前为止,在开发CMOS图象传感器中所采用的先进的关键技术可归纳如下:相关双取样(Cd)电路技术微透镜阵列制备技术彩色滤波器阵列技术数字信号处理(DSP)技术抑制噪声电路技术模拟数字转换(AID)技术亚微米和深亚微米光刻技术

光电效应光电效应是物理学中一个重要而神奇的现象,在光的照射下,某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流,即光生电。光电现象由德国物理学家赫兹于1887年发现,而正确的解释为爱因斯坦所提出。

光电效应按照光生载流子的理论,光子进入到半导体中,当光子能量超过带隙能量时就会产生电子空穴对。在电场的作用下,电子和空穴会被分开,其中电子会在电势阱中被收集,空穴那么会被遗弃。光在入射到感光区的时,会发生光电效应,也就是把光信号转换成电信号,半导体价带中受束缚的电子在承受光的能量后会跃迁到导带,成为能够自由移动的电子。硅的能带图可见光范围:400~700nm可见光λ=700时,Eph=1.77eV近红外λ=1100时,Eph=1.12eV人体红外波长λ=9.65μm时,Eph=0.13eV

光电二极管扩散:空穴从P到N，电子从N到P，形成从N指向P的空间电荷区漂移:在内建电场作用下，空穴和电子做的运动，方向与扩散相反形成稳定的内场反向偏置〔外场与内场方向一致〕时,扩散受到抑制,漂移占主导光照时,光生电子被拉到N区,光生空穴被拉到P区,形成光电流,光电流大小正比于入射光功率,对于确定的PN结来说,光电流大小正比于入射光强

CMOS器件的产生图像传感器CCDCMOS有源像素(APS)数字像素(DPS)PG型PPD型PD型集成电路计算机信息数字图像领域无源像素(PPS)

CMOS图像传感器总体构造

像素单元——PD型有源像素PN结作为光电二极管三个晶体管:复位管M0是NMOS，一边接VDD另一边接电荷感应节点N1放大器M1也是NMOS，放大光电二极管的电压选择管M2当行选信号开启时用于控制读出到列总线

TG:传输栅光门PG:多晶硅栅，它是用来产生电势阱〔耗尽区〕来进展收集光生电子，信号电荷在PG下积分。读出:先对浮置储存节点进展复位，此时它的电压值会通过源跟随器被读出。当PG翻开时，电荷被传递到浮置储存节点，此时电压会有变化，新的电压值会被读出，复位电压与信号传递后电压的差值就是像素的差值，这种读出方法也叫做相关双采样。像素单元——PG型有源像素

像素单元——PPD型有源像素PPD主要由P+NP-构造组成，当施加在N层上的电压提高的时候，两个PN结的耗尽区会相互延展，当到达某一特定电压时，耗尽区相接触，器件不会再提取更多的载流子，器件完全耗尽。之后，器件内的电势保持不变。