《车身域控制器场效应管负载能力试验方法》及编制说明书.docx

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T/SZAA000X—2024

车身域控制器场效应管负载能力试验方法

1范围

本标准规定了乘用车及电动车车身域控制器场效应管的选型使用、技术要求、试验方法、检验规范；本标准适用于比亚迪品牌及其所属品牌所有乘用车及电动车及其对应车身域控制器选型使用、技术要求、试验方法、检验规范，其他品牌的的乘用及电动车对应车身域控制器场效应管可参照此标准。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单一）适用于本文件。

GB/T191—2008包装储运图示标志

GB/T5465.2—2008电气设备用图形符号第2部分：图形符号GB/T30512-2014汽车禁用物质要求

GB/T2900.32-1994电工术语电力半导体器件GJB3164-1998半导体分立器件包装规范

IEC60191-6-2009半导体器件的机械标准化-第6部分表面安装的半导体器件封装外形图纸制备的一般规则(MechanicalStandardizationofSemiconductorDevices-Part6:GeneralRulesForthePreparationofOutlineDrawingsofSurfaceMountedSemiconductorDevicePackages)

IEC60747-82021半导体器件-分立器件-第8部分：场效应晶体管(Semiconductordevices–Discretedevices–Part8:Field-effecttransistors)

JESD51-1集成电路的热测试方法(IntegratedCircuitsThermalMeasurementMethod)

JESD51-14一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法(TransientDualInterfaceTestMethodfortheMeasurementoftheThermalResistanceJunctiontoCaseofSemiconductorDeviceswithHeatFlowThroughaSinglePath)

AEC-Q101-Rev–E基于分立半导体应力测试认证的失效机理(FailureMechanismBasedStressTestQualificationForDiscreteSemiconductorsinAutomotiveApplications)

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。3.1

功率MOSFET

MOSFET是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor的缩写，中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管，是一种单极型器件，具有栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source），简称金氧半场效晶体管或MOS管。

3.2

NMOS

N型金属-氧化物-半导体（N-typemetaloxidesemiconductor），N型功率MOSFET导电沟道为N

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T/SZAA000X—2024型，通过电子移动导电，主回路电流方向为漏极指向源极，导通条件为VGS有一定的压差（G电位比S

电位高），Source端一般接地（低边驱动）。3.3

PMOS

P型金属-氧化物-半导体（P-typemetaloxidesemiconductor），P型功率MOSFET导电沟道为P型，通过空穴进行导电，主回路电流方向为源极指向漏极，导通条件为VGS有一定的压差（S电位比G电位高），Source端一般接VDD（高边驱动）。

3.4

栅极

Gate，简称G极。MOS管的控制端。在G极施加驱动电压可控制MOS管开启、关闭。3.5

源极

Source，简称S极。源极是控制栅极电场的参考点。改变栅极和源极之间的电压，可控制源极和漏极之间的电流流动。

3.6

漏极

Drain，简称D极。相对于源极，是电流流经的另一个端口。对于N型功率MOSFET，电流方向为漏极指向源极，对于P型功率MOSFET，电流方向为源极指向漏极。

3.7

TC

TemperatureCycling，高温与低温循环交替作用下测试器件机械应力。

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